[00094545]基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用
联系人： 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地： 江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用，该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明导电薄膜，并利用微加工光刻、刻蚀和金属沉积的方法制作GaN基LED、紫外光探测器；迁移石墨烯薄膜到LED或紫外光探测器的p型GaN基片上，代替ITO或Ni/Au作为透明导电电极。本发明采用石墨烯薄膜作为透明导电电极，能够实现低成本、高亮度的发光器件，扩大了碳纳米材料在GaN基光电器件领域的应用。
