联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地: 江苏苏州市
本发明提供一种探测集成电路衬底噪声的方法,设计一个采用PMOS管组成的信号通路,采用折叠式结构的两级放大器,作为衬底噪声探测电路,衬底噪声探测电路包括噪声信号耦合部分和信号放大电路,衬底噪声探测电路给出噪声的准确时域波形,经过快速傅里叶变化,通过频域信息,得到噪声在频域上的特点,同时能避免在信号通路中因使用NMOS管而引入的噪声,进而为如何减少,甚至避免数字电路引入的衬底噪声对敏感的模拟电路的影响,缩短SOC的设计周期和提高其成功率。