联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
所在地: 江苏苏州市
本发明公开了一种原位合成制备化合物芯片的方法,首先在基底上制备紫外LED发光阵列,所述发光阵列分布与待合成化合物的预设点位一致;然后对紫外LED发光阵列或者其它芯片材料进行表面修饰,在其上表面形成一层活性基团,并连接带有光脱保护基团的化合物单体;再根据待合成的化合物中同种单体的分布情况,控制相应的紫外LED发光,脱去对应表面连接单体的光脱保护基团,停止发光,使需要连接的带有光脱保护基团的单体与芯片表面接触,和已脱去保护的单体反应连接;重复上述步骤,合成出所需长度的化合物,获得化合物芯片。本发明不需要光掩膜板,也不需要在超净间中操作,大幅度地降低了成本;适合于光刻法或光致酸技术的原位反应。