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[00094563]原位合成制备化合物芯片的方法、制备载体及发光基底

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200710021024.5

交易方式: 完全转让

联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

所在地: 江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

本发明公开了一种原位合成制备化合物芯片的方法,首先在基底上制备紫外LED发光阵列,所述发光阵列分布与待合成化合物的预设点位一致;然后对紫外LED发光阵列或者其它芯片材料进行表面修饰,在其上表面形成一层活性基团,并连接带有光脱保护基团的化合物单体;再根据待合成的化合物中同种单体的分布情况,控制相应的紫外LED发光,脱去对应表面连接单体的光脱保护基团,停止发光,使需要连接的带有光脱保护基团的单体与芯片表面接触,和已脱去保护的单体反应连接;重复上述步骤,合成出所需长度的化合物,获得化合物芯片。本发明不需要光掩膜板,也不需要在超净间中操作,大幅度地降低了成本;适合于光刻法或光致酸技术的原位反应。

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