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[00095635]一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201110278893.2

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 桂林电子科技大学

进入空间

所在地: 广西壮族自治区桂林市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  本发明公开了一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法,它是在ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷中同时添加V2O5和TiO2来实现,用料量V2O5︰TiO2︰ZnO-Bi2O3基的摩尔比为0.05-0.08︰0.80-1.30︰98.62-99.15,其中ZnO-Bi2O3基包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnCO3组成成分,且ZnO︰Bi2O3︰Co2O3︰MnCO3的摩尔比为97.40-98.20︰0.60-0.80︰0.80-1.20︰0.40-0.60,用传统制陶工艺烧制而成。本发明的优点是:(1)Ti掺杂可提高压敏陶瓷材料的非线性系数,降低电位梯度;(2)V掺杂可降低陶瓷材料的烧结温度,并节约能耗,降低成本;(3)预烧能增强粉体活性;(4)分段升温、保温的工艺可以提高陶瓷的质量和性能,同时降低能耗,节约成本。

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