联系人: 太原理工大学
所在地: 山西太原市
一种高纯纳米粉体Mg2-xSiTMx热电材料的制备方法(专利号201210026254.1),属于热电材料制备领域,具体而言是一种用微波反应法制备高纯纳米粉体Mg2-xSiTMx热电材料的方法的技术方案。其特征在于是由MgH2粉、Si粉和过渡金属氢化物TMHy粉在微波炉中反应,反应全过程在流动Ar气保护下,MgH2和TMHy分解温度均小于350℃,在反应过程中反应物易于分解并均匀分布于基体中,其强还原性有助于抑制基体表面吸附氧和氧化产物的进一步形成,得到纯度为≥99.95%的高纯纳米Mg2-xSiTMx粉末。本方法的特点是工艺简单且高效节能,制备出的Mg1-xSiTMx热电材料具有较好的热电性能。