[00097674]脉冲磁场作用下原位自生MgB<,2>超导材料的制备方法
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技术详细介绍
该发明涉及一种脉冲磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法，属低温超导材料制备工艺技术领域。该发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0-1.3∶2.0；在套管法的基础上运用频率为 0.03-0.1赫兹，强度为1-100T的脉冲磁场；Mg和B粉末的原位自生反应温度在600-1000℃范围内。该发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。发明专利号：ZL200510028238.6。
