[00098486]纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法
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技术详细介绍
该成果用纳米晶硅代替通常的非晶硅作为发射极和本征缓冲层，有效改善蓝光波段的量子效率，增加载流子收集；优化钝化工艺，实现低的界面缺陷密度。有效降低界面缺陷密度及提高薄膜层的质量，并实现了HWCVD技术的大面积均匀沉积（10cm×10cm，不均匀性＜±5%），为高效电池提供基础；采用设备结构相对简单、成本低、无离子轰击的HWCVD低温工艺，有利于降低界面缺陷及提高薄膜层质量；较为简化的技术路线，采用无织构CZ硅衬底，无背面掺杂薄膜电极，获得高转换效率，有利于降低电池成本；从已有文献，尚未见用HWCVD技术制备纳米晶硅/晶体硅异质结太阳能电池光电转换效率高于17.3%的报道。
