当前，全球先进制程芯片（7nm及以下）CMP抛光软垫产业呈现国外高度垄断、国内加速追赶的格局。国外方面，美国陶氏、日本富士纺、东丽等企业主导核心技术，产品在平坦化精度、缺陷控制、使用寿命及批次稳定性上保持领先，牢牢占据全球市场，专利与供应链高度集中。国内方面，在政策与产业链需求驱动下，部分材料配方、结构设计及制造工艺取得关键突破，整体处于加速进口替代阶段。安徽省内，安徽禾臣新材料有限公司等企业在CMP软垫领域已实现重要突破，部分产品实现国产化替代，产品已成功导入华为供应链，在中芯国际、华虹等企业实现批量出货。然而，对标国际顶尖水平，仍存在明显差距：在最先进制程适配方面，产品主要应用于28nm及以上制程，对7nm及以下AI芯片所需的更高平坦度、更低缺陷率要求尚未完全满足；在核心原材料自主化方面，高端聚氨酯树脂、特种微球等关键上游材料仍依赖进口，与国际龙头陶氏化学等企业存在代差；在工艺一致性方面，批量生产中的批次稳定性、缺陷控制能力与国际领先水平仍有差距。当前AI芯片对CMP材料提出更高要求，亟待产学研协同攻关，加速实现从“可用”到“好用”的跨越。若不尽快攻关，将严重制约我省乃至国家高端芯片制造的自主可控进程。 技术目标： 1.过多元醇、异氰酸酯和功能性单体筛选，以及合成条件精确控制，构建软、硬段序列结构，建立具有自主知识产权的CMP软垫基础材料合成技术体系。关键指标：100%拉伸强度小于≤7MPa, 水接触角≤80°。 2.通过发泡剂、稳泡剂等助剂体系的优化，结合涂布成型工艺的系统研究，攻克CMP软垫材料泡孔尺寸、孔径分布与孔隙率的精确控制技术。关键指标：表观无内缩、不发皱、平整；孔径分布集中度高，开孔率偏差小。 3.基于合成与成型的优化成果，探索CMP软垫“结构-工艺-性能”构效关系，实现性能精确调控，并在7nm先进制程芯片制造中通过应用验证，同时建成年产20万片（直径775 mm）生产线。关键指标：硬度≤55 HA，压缩弹性率≥92%，孔径25~45μm，铜/二氧化硅的移除速率（Cu/OX）选择比＞1.6。
【社会信用代码】：91340523MA2MRPRP2M
【需求单位】：安徽禾臣新材料有限公司
【需求所在省市】：安徽省/马鞍山市
【需求类型】：技术
【需求技术领域】：新材料
【合作方式】：技术开发
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