随着5G通信、新能源汽车和光伏逆变器等应用的需求推动下，第三代半导体材料主要以碳化硅、氮化镓为代表的半导体材料更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件，可广泛应用射频通信、雷达、卫星、汽车电子、工业电力电子等领域。 第三代半导体材料加工难度极大。以碳化硅为例，其莫氏硬度为9.5，化学稳定性高。晶体SiC还需要用抛光垫配合抛光液，抛光之后获得平坦光滑的衬底表面工艺，才能成为器件制造前的衬底材料。 聚氨酯可制成抛光材料，具有硬度可调，耐酸碱，耐磨等优点。而化学机械抛光技术中，抛光垫需要与晶圆进行摩擦，同时在酸性或碱性的抛光环境下保持稳定的性能，要满足这些特性，采用聚氨酯制备抛光垫的最佳选择之一。聚氨酯抛光垫根据抛光工序可分为粗抛垫和精抛垫，粗抛垫又分为SUABTM垫和发泡硬垫，目前全球生产硅片抛光垫的企业主要是陶氏，FOJIBO等其垄断了集成电路领域所需要抛光垫的近80%的市场份额。但随着第三代半导体的发展，适用于硅片抛光的抛光耗材不适用与第三代半导体的平坦化，因此亟需开发用于第三代半导体材料的化学机械抛光材料。因为专利壁垒，代表未来趋势的12英寸晶圆用的开窗口抛光垫专利被美国公司占有。 希望达到目标 合成机理深化：研究异氰酸酯（MDI/TDI/HDI）与多元醇（聚醚/聚酯型）的NCO/OH摩尔比对预聚体端基活性的影响，建立动力学模型。 功能化改性：引入硅烷偶联剂、含氟链段或纳米粒子，提升预聚体的热稳定性与界面相容性。 工艺优化：采用正交实验设计，调控反应温度、催化剂及真空脱水条件，降低游离单体残留。 表征体系：结合FTIR追踪-NCO特征峰（2270 cm⁻¹）、GPC分析分子量分布（PDI＜1.5）、流变测试评估粘度-温度依赖性。
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【需求单位】：安徽禾臣新材料有限公司
【需求所在省市】：安徽省/马鞍山市
【需求类型】：技术
【需求技术领域】：新材料
【合作方式】：技术开发,技术转让,其他
【投入金额（万元）：面议万元
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