一种基于忆阻器的Duffing-vanderPol 振荡电路
技术简介： 本实用新型涉及一种基于忆阻器的Duffing-van 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种基于忆阻器的Duffing‑vanderPol振荡电路，该电路包括激励电源e(t)、电阻R、第一电容C1、第二电容C2和忆阻器M；所述激励电源e(t)的一端与电阻R的一端连接；所述电阻R的另一端分别…… 查看详细 >
技术简介： 摘要:本发明提供了一种具有超结结构的半导体器件及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、PN交替超结区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极…… 查看详细 >
技术简介： 本发明针对LDPC码的动态BP译码算法，提出了一种基于LDPC码的局部动态更新译码方法(LILRBP)，该方法采用基于局部残差的消息更新，有效地提升了包括少量迭代次数内以及高信噪比下的BP译码性能，超…… 查看详细 >
技术简介： 本发明针对LDPC码的动态BP译码算法，提出了一种基于LDPC码的局部动态更新译码方法(LRBP)，该方法采用基于局部残差的消息更新，有效地提升了包括少量迭代次数内的BP译码性能，超越了其他动态BP译…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用于射频开关的噪声抑制电路，通过第二振荡器、第三振荡器、异或门和D触发器，使得第一振荡器的输入端产生一个随机数信号，而该随机数信号能够使得第一振荡器的频率产生随机变…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种射频开关的堆叠电路，射频开关包括偏置模块、射频输入模块和射频输出模块，堆叠电路包括依次串联的第一晶体管支路、第二晶体管支路直至第N晶体管支路，每条晶体管支路包括晶体…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种射频开关电路，包括多个射频信号通路，每个射频信号通路包括串联支路和并联支路，每个并联支路包括N个堆叠的MOS晶体管；每个并联支路还包括分别与N个MOS晶体管栅极相连的N个栅…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种利用自适应滤波算法消除泥浆脉冲信号中的泵冲噪声的方法，主要包括自适应陷波器、自适应噪声抵消器和FIR低通滤波器三个滤波步骤:1)运用自适应陷波器滤除原始信号中的有用信号；…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构，电路结构包括电源调制器，低频段放大器模块和高频段放大器模块，电源调制器连接低频段放大器模块，高频段和低频段放大器模块均由低功率…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，包括具有电流镜结构的第一NPN型三极管Q2和第二NPN型三极管、晶体管、偏置电容和第一电阻。通过具体的电路连接结构，使得偏置电容的电位…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种低损耗自适应偏置电路及无线发射系统，其中，低损耗自适应偏置电路，包括具有电流镜结构的第一NPN型三极管和第二NPN型三极管、晶体管和偏置电容。通过具体的电路结构，在输入功…… 查看详细 >