技术简介： 一种多孔Si3N4基体表面覆涂h-BN涂层的方法，步骤为：一、按质量比将Si3N4、Y2O3、Al2O3和石油焦混合球磨制得料浆；二、将料浆干燥，过筛，将得到的粉末压成生坯，在N2气氛中烧结获得Si3N4基体；…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95wt％、烧结助剂5～7wt％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35～55％的多孔…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法，按重量百分比，包括下述组分：硅粉10～80％、氧化硅10.7～60.7％、烧结助剂5～10％、碳黑4.3～24.3％。烧结助剂选自IIa族氧化物、IIIa…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开的一种层状金属‑陶瓷复合材料零件的制备方法，属于金属‑陶瓷复合材料复杂零件近净成形技术领域。采用的技术方案为通过光固化快速成型技术来制备内部具有层状结构的陶瓷浆料凝胶注模…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于碳热还原制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，首先按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95％、烧结助剂5～7％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35-55％的多孔…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种结合气固反应法制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，包括以下步骤1)将SiO粉末置于坩埚底部，按照质量百分比将70～95wt％的碳化硅和5～30wt％的纳米炭黑的混合粉末模压成型后形成生…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种碳化硅基增强复合陶瓷及制备方法，其特征在于，按重量百分数，包括下述组分：碳化硅粉末30％～40％、碳化硼粉末5％～17％、纳米碳黑9％～12％、金属硅40％～50％。先将碳化硅粉…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法，首先按重量百分比，在基本原料碳化硅10～100％中加入碳粉0～30％，硅粉0～50％，氧化硅粉0～60％；其中碳化硅粒度为W3.5～P220，采用一种…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法，按重量百分数，包括下述组分：碳化硼粉末45％～50％、酚醛树脂5％～8％、金属硅42％～50％；上述组分称量后，先用酒精溶解酚醛树脂，并加入碳化…… 查看详细 >
技术简介： 一种碳化钛泡沫陶瓷材料的制备方法，以二氧化钛为钛源，以酚醛树脂为碳源，依次进行聚氨酯泡沫腐蚀处理，二氧化钛粉末与酚醛树脂溶液混合，聚氨酯泡沫在混合溶液中真空浸渍，干燥和烧结，烧结工…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种氮化铝增强的石墨基复合材料及制备工艺，其特征是，以片状石墨作基体，氮化铝作为增强相，均匀分布在石墨片层间，形成三维网状氮化铝骨架与定向排列的石墨片层相结合的各向异性…… 查看详细 >