技术简介： 本发明公开了一种通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，主要涉及输送反应物并在其内部进行化学吸热反应的反应装置。该反应装置由石墨筒和反应筒组成。反应筒采用惰性材料制成。反…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种三元系弛豫铁电压电晶体及其多温区生长方法，属于晶体生长技术领域，该三元系弛豫铁电晶体材料化学组成为xPb(In1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑zPbTiO3(PIMNT)，0 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种高速单晶生长装置，其特点为在坩埚上方设有导流筒，导流筒在三相点附近的形状经特殊设计以控制凝固界面上方的热流方向；在导流筒内设置水冷套以强化晶体侧的传热。本实用新…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种三维光子晶体制造的新工艺方法，在计算机中设计具有微波特性的三维光子晶体模型；构建此模型的负型，并依据此光子晶体模型设计浇注系统，导出浇注系统模型为STL格式，利用光固化…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种快速制备3C-SiC外延膜方法，其特征是将激光引入到传统CVD方法制备碳化硅外延膜即SiC薄膜，通过控制激光的输出功率，修饰基板表面形成纳米级微台阶，为薄膜形成初期提供大…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种改性碳纤维，它是经硼酚醛树脂上浆处理后的碳纤维。本发明还公开了一种碳纤维/聚苯硫醚复合材料，它包括以下重量份数的组分前述碳纤维15份、聚苯硫醚75份。本发明还提供了前述…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种激光直接成形悬臂结构金属零件的工艺悬臂结构金属零件特征在于，零件模型不存在悬臂结构时，按照正常工艺熔覆。成形至悬臂层时，按以下三种方法之一提供支撑：①将金属粉末填充…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种口腔修复体的成型方法，特别涉及一种复合修复体的成型方法。其工艺步骤为制作蜡型、安插铸道、包埋、去蜡、树脂陶瓷材料注塑。与现有树脂陶瓷复合修复体的制作工艺相比，本发明制…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了基于芳腈结构的低烟阻燃抗熔滴共聚酯及其制备方法，该共聚酯是由I、II、III表示的结构单元组成，[III]的结构单元数为[I]的结构单元数的3～20％时，其特性粘数[η]为0.63～1.21dL/g…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多功能中子流屏蔽复合材料的制备方法，中子流在这种氮化硼与硫酸钡交替层状分布的多功能中子流屏蔽复合材料中，经聚合物基体的散射耗散一部分中子，氮化硼层层界面间多次散射、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高效中子流屏蔽复合材料的制备方法，通过本发明制备出的高效中子流屏蔽复合材料层数达1204层，中子流在这种交替层状分布的中子流屏蔽复合材料中，经层界面间多次散射、吸收，由…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向…… 查看详细 >