技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED及制备方法。基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED，将钙钛矿量子点嵌入二氧化硅基质中，并结合蓝光LED芯片发出白光，采…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明的n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法，属于半导体材料及其制备的技术领域。光电器件是n型氧化锌纳米棒高取向竖直生长在p型金刚石上；用银浆在导电阴极和导电阳极…… 查看详细 >
具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及其制备方法
技术简介： 摘要：具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由石英衬底、贵金属掺杂的TiO2薄膜层、纯TiO2薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于：…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种含Ni的纳米薄膜材料，包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜；所述纳米薄膜的化学式NixCry(BizSb1-z)2-x-ySe3表示，其中0 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种含有Fe的纳米薄膜材料，包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜；所述纳米薄膜的化学式FexCry(BizSb1-z)2-x-ySe3表示，其中0 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种对称的集成层叠变压器，由衬底、自下而上依次设于衬底上的第一至第三层介质以及分别置于第一层介质中的网格状屏蔽栅、第二层介质中的初级线圈和第三层介质中的次级线圈构成；其…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种多叠层式纳米压电器件,由至少五层叠层而成矩形结构体，依顺序是氮化镓‑聚苯乙烯基质层Ⅰ、n型银掺杂氧化锌纳米线阵列层Ⅰ、氮掺杂石墨烯层、n型银掺杂氧化锌纳米线阵列层Ⅱ和氮…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种凸点下金属化层构件及制备方法，所述构件包括位于半导体衬底金属焊盘上方的第一层金属、位于所述第一层金属上方的第二层金属、位于所述第二层金属上方的第三层金属，其中所述第二…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种采用脉动流及泡沫金属板强化散热装置，包括脉动泵、热沉室、积液腔和冷却器，所述脉动泵通过液体流入管将冷却液送入积液腔连接，积液腔通过分液器将冷却液喷入到热沉室，热…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种用于扇出式圆片级封装的散热构件及制造方法，所述构件包括若干芯片和圆形布线层，所述芯片的正面按矩阵式安置在所述布线层的背面上，所述芯片的背面和侧面以及布线层未被芯片覆盖…… 查看详细 >
一种TiOx/Al2O3/TiOx三明治叠层阻变随机存储器薄膜及其制备方法
技术简介： 本发明公开了一种TiOx/Al2O3/TiOx三明治叠层阻变随机存储器薄膜及其制备方法，用于提高RRAM的性能。它是结合原子层沉积和磁控溅射技术来实现介质层结构厚度的精确控制及电极的制备，形成TiOx/Al…… 查看详细 >