技术简介： 本发明公开了一种提高阻变存储器(RRAM)的擦(RESET)、写(SET)电压稳定性的方法，利用该种方法制备的阻变存储器包括顶电极、底电极，以及制备于该顶电极与该底电极之间的阻变介质层，且该阻变介质…… 查看详细 >
技术简介： 本申请公开了一种功率型紫外LED器件，包括散热基板以及倒装在所述散热基板上的LED芯片，所述散热基板包括底座，所述底座表面固定有至少一层由氮化铝层和金属布线层组成的复合层，所述复合层在垂…… 查看详细 >
技术简介： 本发明是一种发光二极管封装结构。包括LED支架杯碗，置于LED支架杯碗上的LED芯片，对LED支架杯碗及置于LED支架杯碗上的LED芯片进行灌封保护，在LED芯片的外侧与透明灌封材料的外侧之间装设有在…… 查看详细 >
技术简介： 本申请公开了一种倒装HV‑LED光源及其制备方法，其中，所述倒装HV‑LED光源的反射膜和金属层共同构成了所述倒装HV‑LED光源中的HV‑LED芯片的反光面，提升了HV‑LED芯片的光源利用率，从而提升…… 查看详细 >
技术简介： 本申请提供一种紫外LED外延芯片倒装结构及其制作方法，所述紫外LED外延芯片倒装结构包括相对设置的衬底和基板；位于衬底和基板之间的外延层结构；隔离层，隔离层垂直于衬底设置，贯穿外延层结构…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种紫外LED器件，该器件包括陶瓷基座；设置于所述陶瓷基座的凹槽；设置于所述陶瓷基座、位于所述凹槽上的台形阶梯结构；安装于所述台形阶梯结构处的石英玻璃盖板；共晶倒装焊接于…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种紫外LED封装器件。所述紫外LED封装器件包括氧化铝陶瓷基板、紫外LED芯片、铜镀层、CuAlO2过渡层、硅树脂固层和石英玻璃；所述紫外LED芯片包括正电极和负电极，该芯片固定在氧化…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，主要包括LED芯片、矽胶层、封装胶层、透镜和增透膜、反射杯、微型PCB基板、铜层、导电导热胶层和焊盘；所述PCB基板包括上表层、中间层和下表…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种LED倒装结构，LED芯片上均匀涂覆矽胶，矽胶表面上再涂有荧光胶；所述荧光胶上表面设有透镜，所述透镜上表面设有减反膜，所述减反膜上表面还设有封装胶层。所述矽胶、荧光胶…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种LED倒装结构，LED芯片上均匀涂覆矽胶，矽胶表面上再涂有荧光胶；所述荧光胶上表面设有透镜，所述透镜上表面设有减反膜，所述减反膜上表面还设有封装胶层。所述矽胶、荧光胶均依…… 查看详细 >
技术简介： 本发明是一种发光二极管飞盘状支架。包括有内部热沉（2）、金属引脚（3），其中金属引脚（3）装设在内部热沉（2）的两端，且内部热沉（2）和金属引脚（3）通过基座（1）封装成一体，内部热沉（2…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出了一种易封装、易散热的倒装高压LED芯片及其制作方法，包含蓝宝石衬底、外延层、p和n电极、封装基板，对这种结构芯片进行倒装封装时，能够避免芯片电极过小和基板电路焊点过密所造成…… 查看详细 >