技术简介： 本发明公开了一种超高密度LED显示器件，包括基板以及封装于基板上的LED芯片阵列，芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片。本发明采用扇出型晶圆级封装工艺(Fan-Out 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种太赫兹波探测器件封装，包含至少一太赫兹波探测芯片和承载所述太赫兹波探测芯片的基板或支架，芯片电气面与所述基板或支架上的外引线电极的焊接面朝同一方向。在芯片电气面上方…… 查看详细 >
技术简介： 基于复合介质栅MOSFET的多模态双晶体管光敏探测器，所述MOS电容感光晶体管作为光敏单元；所述MOSFET读取晶体管和与此MOSFET读取晶体管相邻的所述MOS电容感光晶体管组成基本包括多列MOS电容组成…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种基于标准闪存工艺的三维图像传感器，所述三维传感器结构左右轴对称；包括中间衬底、分别位于中间衬底左侧的左衬底和右侧的右衬底；包括设置于左衬底上方、横跨至中间衬底左存储区…… 查看详细 >
技术简介： 一种采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构的ZnON薄膜的基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，富氮ZnON薄膜厚度为20‑150纳米，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，富氧ZnON薄膜层厚为5‑30纳米，基底为硅…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种自支撑氮化镓单异质结声电荷输运延迟线，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设置有缓冲层和声表面波叉指换能器，声表面波叉指换能器位于缓冲层两侧…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种硅基光子材料器件制备方法，具体包括以下步骤a)通过特殊方式加工制作出具有高密度和小尺寸的有序硅纳米晶粒；b)通过光刻工艺的方式对晶粒进行加工；c)采用UHV/CVD在硅衬底上生…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种超高密度LED显示器件，包括基板以及封装于基板上的LED芯片阵列，芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片。本实用新型采用扇出型晶圆级封装工艺(Fan-Out 查看详细 >
技术简介： 一种非易失性电荷俘获型存储器件中的电荷存储材料，所述存储材料为混合氧化物材料，(CuO)x(Al2O3)1-x混合氧化物，x取值为0.1-0.8；所述电荷存储材料在非易失性电荷俘获型存储器件中的应用，非易…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出了一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器，所述隧穿晶体管结构衬底为P型/N型时，离子注入形成的源区为P+型/N+型、离子注入形成的漏区为相应为N+型/P+型；在源区上方生长一层二氧化硅…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于光调控的垂直自旋场效应晶体管，中间层为非磁性半导体层，非磁性半导体层上下均为铁磁性材料薄膜；所述的非磁性半导体层为砷化镓基片，铁磁性材料薄膜上引出电极；铁磁性材料薄膜采取具…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于石墨烯/碳纳米管复合吸收层的人工突触晶体管，该晶体管包括自下而上依次设置的衬底、栅极介质层、石墨烯/碳纳米管复合吸收层；所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层包括至少一层…… 查看详细 >