技术简介： 本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元，该阵列单元是共用深n阱结构，即：将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里，共用阴极n+接触孔，每个SPAD器件采用正八边形结构，并进行蜂…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种利用氧化石墨烯基材料制作的二极管动态随机存储器，自下而上依次包括基底、下电极、氧化石墨烯基活性层和上电极，所述氧化石墨烯基活性层的材料是氧化石墨烯或通过化学方法选择性…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高探测效率的单光子雪崩二极管探测器阵列单元，该阵列单元为环绕式P-注入加P埋层和P-埋层保护的深P阱的SPAD结构，即：在P型衬底中通过离子注入形成深P阱，深P阱中有两个埋层区…… 查看详细 >
技术简介： 一种固态成像探测器探测器每个单元的构成是：在基底P型半导体硅材料1上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域，分别构成探测器的两个漏区2，在基底P型半导体硅材料上方的中央设有重掺杂的N型半导体…… 查看详细 >
技术简介： 本发明是一种高灵敏度固态彩色图像传感器传感器尤其是利用大面积的MOS电容作为光电转换区，并将产生与收集的光电子转移到邻近的小尺寸的MOSFET存储器栅极下方的沟道区域，并进一步将转移来的光…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种阳极抬高的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法，该光子器件包括硅衬底层，在其上形成外延缓冲层，在外延缓冲层上形成P‑N结，p‑GaN层上设置有p‑电极，在n‑GaN层上表面通过刻…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区采用介质隔离与结隔离相结合的结构：阳极N+和P+之间用介质隔离，N+下面采…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区采用介质隔离与结隔离相结合的结构：阳极N+和P+之间用介质隔离，N+下面采用结隔…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双层部分SOI 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管。该场效应管包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）；所述的导电沟道（1）、…… 查看详细 >