技术简介： 本发明公开了一种对称结构的低失调垂直型霍尔器件，该器件采用新型的双阱器件结构，即在一个P型硅衬底上形成两个完全相同的n阱，每个n阱中分别有三个重掺杂N+区，两个n阱最外侧的N+区互相连接，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于信息存储技术领域，具体公开了一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器及其制备方法。所述存储器由衬底、底电极、阻变存储层和顶电极组成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，在玻璃基底的上表面镀有ITO膜层，ITO膜层上设有活性层，活性层上设有金属电极，活性层为二硫化钼与另一种半导体材料组成的纳米复合材料，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种钛菁铜忆阻器忆阻器属于有机电子和信息技术领域。该忆阻器包含第一电极、第二电极和介于两电极之间的阻变层，其中阻变层以钛菁铜作为活性层，还可以包括MoO3的缓冲层。本实…… 查看详细 >
技术简介： 申请公开了一种具有生物突触模拟功能的有机二极管柔性忆阻器器件及其制备方法，该器件在阴极‑介质层界面间增加一层修饰层，整个器件从上到下依次是金属阴极层、修饰层、介质层、阳极电极层和PE…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，包括重掺杂硅片、修饰层十八烷基三氯硅烷OTS、修饰层聚苯乙烯PS、源、漏电极层、P3HT有机半导体活性层，在绝缘层与电极层间设置修饰层,所述的修饰…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种同时具备存储和整流的有机二极管电存储器件和方法，该器件在阳极-介质层界面间增加一层缓冲层，整个器件从上到下依次是：金属阴极、介质层、阳极缓冲层、ITO阳极衬底，这一结构…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管及其修饰方法，在绝缘层-半导体层界面间增加两层聚合物修饰，整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体、高介电常数材料的聚合物、电绝缘性…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层，所…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种柔性低电压有机场效应晶体管及其制备方法，在栅极和半导体层界面间增加三层聚合物做绝缘层，整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体、高绝缘性聚合物、高介电常数材料的聚合…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于有机场效应晶体管技术领域。本发明提供了一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法，所述晶体管从下至上依次为n型掺杂硅栅极电极、二氧化硅介电层、十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰…… 查看详细 >