技术简介： 摘要：一种通过与太空进行辐射换热实现聚光光伏电池冷却的系统，属于太阳能聚光光伏电池散热技术领域。技术要点包括复合抛物面聚光器，复合抛物面聚光器底部具有下开口，下开口处安装有选择性吸…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法，本发明涉及大尺寸单晶薄膜的制备方法，特别是涉及一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术制备的钙钛矿薄膜的单晶尺寸…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种基于H-TiO2纳米粉体的钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明涉及一种基于H-TiO2纳米粉体的钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明是为了解决氢化二氧化钛材料作为钙钛矿太阳能电池电子层材…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：压电自感知执行器及其电场干扰的滤波方法，属于滤波技术领域。本发明是为了解决将一片或几片压电材料功能集成后同时作为执行器和传感器来使用，传感器部分存在电场干扰的问题。压电自感知…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片，属于硅基发光二极管芯片技术领域。针对现有硅基LED衬底层和外延层之间的热失配和晶格失配导致的出光效率及产品质量低的现状，本发明提供的芯…… 查看详细 >
在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法
技术简介： 摘要：一种在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法，其具体步骤如下：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长AlSb薄层；步骤3：在AlSb薄层上低温生长GaSb薄层；步骤4：停…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种利用真空紫外光清洗及活化材料表面的装置，属于半导体制造加工领域。密封箱体的右侧壁上安装有气阀一、气阀二及气阀三，密封箱体的前侧壁上位于左侧设有样品取送窗口一，位于右侧设有…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其步骤如下：一、在高真空条件下，在待连接碳化硅半导体或金属衬底表面交替沉积反应金属层和无定形硅层，形成…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种脉冲电流低温快速烧结制备高温服役纳米晶接头的方法，其步骤如下：一、采用液相还原法制备金属纳米颗粒；二、制备金属纳米颗粒焊膏；三、脉冲电流低温烧结纳米焊膏制备高…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法，属于电子技术领域。适应了对位移辐射损伤小、双极型器件抗辐照能力强的双极型器件的需求。本发明利用双极型器件的结构参数，采…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种扩宽空心阴极点模式放电电流范围的方法，涉及扩宽空心阴极放电电流范围的技术领域，为了解决空心阴极点模式放电电流范围窄，而传统扩展空心阴极点模式放电电流范围的方法会使整个推进…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种闭合式壳型电极硅探测器，由一空心四棱环，空心八棱环，及一中央电极空心柱构成，所述空心八棱环嵌套于空心四棱环内，中央电极空心柱与所述空心四棱环及空心八棱环的中心轴线相同，所…… 查看详细 >