一种TiOx/Al2O3/TiOx三明治叠层阻变随机存储器薄膜及其制备方法
技术简介： 本发明公开了一种TiOx/Al2O3/TiOx三明治叠层阻变随机存储器薄膜及其制备方法，用于提高RRAM的性能。它是结合原子层沉积和磁控溅射技术来实现介质层结构厚度的精确控制及电极的制备，形成TiOx/Al…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种含防渗透碳薄膜的高效稳定钙钛矿电池及其制备方法，包括依次叠层设置的透明导电基底、电子传输层、钙钛矿膜、防渗透碳薄膜和阴极导电层；或者包括依次叠层设置的透明导电基底、电…… 查看详细 >
sMWCNT/PEG/Nafion复合电解质膜及其制备方法和应用
技术简介： 本发明涉及sMWCNT/PEG/Nafion复合电解质膜及其制备方法和应用，首先以sMWCNT、PEG和Nafion分散液为原料，加入到溶剂中得到铸膜液；其中，按质量百分数计，sMWCNT占0.5～1.0％，PEG占4.5～19.5％…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种采用原子层沉积法制备鳍式三维多铁异质结的方法，利用微纳加工技术将铁电单晶基片加工成鳍式三维纳米结构，并利用原子层沉积的出色三维保形均匀性，以价格低廉的二茂铁和氧气作…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种柔性透明的薄膜型电阻开关及制备方法，该柔性透明的薄膜型电阻开关为ITO‑ITO纳米线‑Ag三明治结构，包括柔性透明衬底、设置于柔性透明衬底上的ITO薄膜，ITO薄膜上设有一层ITO纳…… 查看详细 >
技术简介： 一种利用工业废热的柔性发电装置及制造方法，先在热释电薄膜上下两面各制备上一层薄膜电极，用导电银浆将铜导线固定在上下薄膜电极上，得到柔性热量收集装置；将超级电容器薄膜与柔性热量收集装…… 查看详细 >
技术简介： 一种同时具有高固有频率和位移放大比的菱形柔性机构，包括由四条斜边柔性梁、刚性输入端、驱动元件、固定面和位移输出端连接成的菱形柔性机构，四条斜边柔性梁在厚度方向上均采用两层以上的柔性…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构，包括基本U型结构；基本U型结构包括由下至上或者由上至下依次设置的第一磁性层、电极层和第二磁性层；第一磁性层由第一正自旋塞贝克系数磁…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的制造方法，先在热释电薄膜上制作微阵列结构，然后在结构化的热释电薄膜上下两面的一端各溅射一层金属薄膜，在结构化的热释电薄膜上下两面制备透明电极…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种绝缘介质薄膜固态发光器件发光增强方法，并阐述了其增强发光的原理。固态发光器件由信号电极，背电极，发光单元构成，每个发光单元是由多层薄膜构成的MOS结构，各层薄膜采用不…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种发光半导体器件，包括N型半导体和依次设置于N型半导体一侧上的有源区、P型半导体和P电极，P型半导体具有粗糙表面，且在P型半导体的粗糙表面上采用PVD镀有光提取镀层，N电极设置…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及公开了一种LED垂直芯片结构及制作方法，所述LED垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO纳米墙/GaN层、n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p‑GaN。相比传统蓝宝石衬底LED芯片，…… 查看详细 >