技术简介： 摘要：本发明涉及一种碲化铋基热电发电元件及其制备方法，所述碲化铋基热电发电元件包括电极层、阻挡层和碲化铋基热电材料层，且阻挡层位于电极层和碲化铋基热电材料层之间。其制备方法为：分别…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的电极及其连接工艺，所述的电极为Ni-Al合金与金属单质Al的混合物，其中金属单质Al的质量百分含量为30%-50%，余量为Ni-Al合金。本发明所述电极…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种光伏电池用纳米复合导电薄膜的制备方法，具体为将镀膜前驱溶液包覆的纳米光致发光陶瓷材料沉积气雾沉积在加热的基板上，即得到光伏电池用纳米复合导电薄膜。本发明采用红…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种碳化硅结势垒二极管，将沟槽结构引入4H‑SiC结势垒二极管中，有效的提高4H‑SiC场控二极管的耐压性，改善了高压4H‑SiC结势垒二极管的阻断性能；本发明二极管使用外延形…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种大功率X线管用WMo石墨复合旋转阳极靶材的制备方法，将一定质量的钨粉、钼粉、粘结剂冷压成复合压坯，将相同直径的三高石墨与复合压坯依次放入石墨模具中，复合压坯的粘结…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种双环硅通孔结构及其制造方法。一种双环硅通孔结构，从外向内依次为半导体衬体、第一介质层、第一金属环、第二介质层、第二金属环和介质芯层。一种双环硅通孔的制造方法，包…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供的是一种垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层1…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明的目的在于提供一种带有散热装置的配注器控制单元，包括配注器壳体、散热装置、芯片，配注器壳体里设置凹槽，散热装置安装在凹槽里，芯片固定在散热装置上，所述的散热装置包括散热…… 查看详细 >
技术简介： 本成果基于高性能计算技术和大数据存储与处理技术，避开传统依赖单个计算机或集群计算的缺点，应用先进的分布式文件系统和并行计算架构，使用普通的PC级机器构建高性能的大数据处理平台。属国内…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种分步定位带针脚整形式多插件头异形电子元件插件机及其应用，包括机架、设置于该机架下半部分的电控柜和设置于该机架上半部分的工作平台，工作平台包括PCB板输送定位机构、电子元…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种同时消除反电势、负载转矩扰动的伺服控制策略及系统，基于电枢绕组的标称模型，根据外加至电枢两端电压以及电枢电流的检测值，估计电气部分的总扰动，并通过前馈补偿部分抵消这…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种熔融涂覆增减材复合成形装置，熔融涂覆增减材复合成形包括设置在同一运动平台上的涂覆增材成形部分和减材加工部分；所述涂覆增材成形部分包括气氛保护装置，气氛保护装置与熔炼…… 查看详细 >