技术简介： 摘要：本发明提供了一种基于MANDANI模糊控制器的感应电机调速方法。本发明以感应电机的速度误差及其误差变化量作为MAMDANI模糊推理系统的输入，模糊推理控制器的输出经过一个积分环节作为感应电…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，包括用于放置硅太阳电池的温度保持恒定的检测台，还包括一个LED光源系统，包括用于发出光线的LED阵列；一个光学汇聚系统，设…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于纳米线技术的新型片上集成光耦，可以实现光耦在片上系统的集成。本发明主要结构分为发光部分、光波导部分和光敏部分，其特点是发光部分和光敏部分采用纳米线结构的LED…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供了一种图像采集系统，属于图像采集技术领域。该图像采集系统包括控制装置、投影仪及摄像头。所述控制装置包括显卡和图像采集卡，所述显卡与所述投影仪耦合，所述图像采集卡与所述…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件，可用于提高片上IC的ESD保护可靠性。主要由P衬底、P外延、P阱、N阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、…… 查看详细 >
一种PMOS触发LDMOS-SCR结构的高维持电压ESD保护器件
技术简介： 摘要：一种PMOS触发LDMOS‑SCR结构的高维持电压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种太阳能硅片水中分片装置，包括正面喷射部分，左侧喷射部分和右侧喷射部分,正面喷射进水管，左侧喷射进水管，右侧喷射进水管。所述正面喷射部分的一端与分水管相连,正面喷射板上开有微…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种不需要强力保持、又能稳定在给定工作状态的简单结构电磁继电器。其电磁机构由固定的永久磁铁和免复位弹簧的可转角摆动电磁铁即套有电磁线圈的衔铁构成，利用永久磁铁对衔铁的吸引和排…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种语音控制的无线智能头罩智能头罩包括：罩体和面罩，罩体上设有智能控制系统；智能控制系统包括：中央处理器、开发板、通讯模块，通讯模块能够与手机等移动终端相连，实现移…… 查看详细 >
技术简介： 一种能够置于吸尘器管道的电灭蚊拍技术方案是：一种能够置于吸尘器管道的电灭蚊拍，包括电灭蚊拍，电灭蚊拍含充电电池和开关，其特征是：电灭蚊拍固定在一个橡筋圆筒内侧中部，橡筋圆筒的轴线垂…… 查看详细 >