技术简介： 本发明公开一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，至少包括机壳、阳极和阴极，其中，所述阳极的数量在50个至90个之间，所述阴极的数量在50个至90个之间，所述阳极和阴极均呈环形阵列对应设…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种CT系统及其冷阴极X射线管。上述的冷阴极X射线管包括壳体、阳极以及循环组件；壳体开设有腔体；阳极位于腔体内，阳极与壳体连接使腔体分隔为第一部分和第二部分，第一部分填充有冷…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种图案化碳纳米管阴极的透射式X射线源结构，其包括碳纳米管、导电底座、绝缘罩、铍窗、导电环和球管，将碳纳米管作为X射线源集成到导电底座的凹槽内并由绝缘罩压紧固定，通过对导…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种图案化碳纳米管阴极的反射式X射线源结构，其包括碳纳米管、导电底座、绝缘罩、绝缘垫片、聚焦桶、栅网、阳极靶、铍窗和球管，绝缘罩的底部与导电底座配合并将碳纳米管、绝缘垫…… 查看详细 >
技术简介： 一种用于CT成像的碳纳米射线管，包括阳极和碳纳米管阴极，所述阳极至少包括激发端，所述碳纳米管阴极至少包括放射面，其中，所述激发端呈圆锥形状，所述放射面为凹形曲面，所述碳纳米管阴极用于…… 查看详细 >
技术简介： 一种场发射阴极的制造方法，所述方法包括提供导电基板；在所述导电基板上涂覆石墨烯纳米片；在所述石墨烯纳米片表面沉积六方氮化硼纳米片。通过在导电基板上涂覆石墨烯纳米片，在所述石墨烯纳米…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种碳纳米管阴极的制备方法，以及通过该方法得到碳纳米管阴极。所述制备方法包括在导电基板上电泳沉积粘结剂层；在沉积粘结剂层的导电基板上电泳沉积碳纳米管薄膜；在真空或保护气…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种碳纳米管场发射阴极及其制备方法。该碳纳米管场发射阴极包括导电基板和依次层叠于所述导电基板上的石墨烯层和碳纳米管层。石墨烯的理论比表面积高达2600m2/g，其独特的二维结构能…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于制动器技术领域，尤其涉及一种锁紧装置。所述锁紧装置包括锁紧机构、状态控制机构和动力机构，锁紧机构包括底圈、锁紧槽、锁紧块和压缩弹簧，状态控制机构包括滑移块，动力部分包括衔…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供了一种基于印刷技术的压力敏感型电开关，所述压力敏感型电开关包括下基底层；导电层，设置于下基底层表面，包括第一导电条和第二导电条；绝缘条，设置于下基底层表面，绝缘条的厚…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种基于印刷技术的压力敏感型电开关及其制作方法，所述压力敏感型电开关包括：下基底层；导电层，设置于下基底层表面，包括第一导电条和第二导电条；绝缘条，设置于下基底层表面，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种含有石墨烯包覆铜纳米线的复合弹性体，包括多孔材料和石墨烯包覆金属纳米线；所述石墨烯包覆金属纳米线生长于所述多孔材料的骨架上；所述多孔材料为可回弹的多孔材料。本发明中含…… 查看详细 >