技术简介： 一种图案化金属透明导电薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤步骤1，在柔性衬底上制备出设定凹槽图案，所述凹槽图案是连续通路；步骤2，将金属导电浆料刮涂在柔性衬底表面，干燥；步骤3，将柔性…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种复合型场发射阴极发射源及其制备方法，将材料低功函数的特性优势和微纳尖端结构大的场增强因子优势相结合，提出了在金属微纳尖锥结构和碳纳米管或碳纳米纤维结构表面，包覆沉积…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe3N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种生物模板排列纳米线的方法，首先在洗净的基底片表面修饰一层聚乙二醇-异丁烯酸(PEGMA)膜；其次在PEGMA膜上覆盖具有微图案的透紫外掩膜板，用紫外光照射获得化学微图案膜；然后在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种悬空LED光波导光电探测器单片集成器件及其制备方法，该器件利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED光波导探测器单片集成器件，进一步采用氮…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种芯片叠层结构参数的测试方法。它利用电容—电压测试仪测得芯片叠层结构的高频电容—电压曲线和低频电容—电压曲线，根据低频饱和值和高频饱和值分别测量该结构的绝缘层厚度与半…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元，该阵列单元是共用深n阱结构，即：将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里，共用阴极n+接触孔，每个SPAD器件采用正八边形结构，并进行蜂…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种利用氧化石墨烯基材料制作的二极管动态随机存储器，自下而上依次包括基底、下电极、氧化石墨烯基活性层和上电极，所述氧化石墨烯基活性层的材料是氧化石墨烯或通过化学方法选择性…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高探测效率的单光子雪崩二极管探测器阵列单元，该阵列单元为环绕式P-注入加P埋层和P-埋层保护的深P阱的SPAD结构，即：在P型衬底中通过离子注入形成深P阱，深P阱中有两个埋层区…… 查看详细 >
技术简介： 一种固态成像探测器探测器每个单元的构成是：在基底P型半导体硅材料1上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域，分别构成探测器的两个漏区2，在基底P型半导体硅材料上方的中央设有重掺杂的N型半导体…… 查看详细 >
技术简介： 本发明是一种高灵敏度固态彩色图像传感器传感器尤其是利用大面积的MOS电容作为光电转换区，并将产生与收集的光电子转移到邻近的小尺寸的MOSFET存储器栅极下方的沟道区域，并进一步将转移来的光…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种阳极抬高的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件…… 查看详细 >