技术简介： 本发明公开了一种半导体异质结及其发光晶体管。半导体异质结包括宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层、窄带隙的n-型掺杂层、有源层，所述窄带隙的n-型掺杂层通过突变异质结接触生长在宽带隙的n+型掺…… 查看详细 >
技术简介： 一种产生真随机码的装置，包括若干个多门限随机码发生器、数据处理器，噪声发生器与每个多门限随机码发生器分别相连，组成若干个随机码发生器单元，每个多门限随机码发生器与数据处理器相连。用…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及微弱光电信息处理技术中专门针对光子信息的基于可编程逻辑的光子计数器，主要由脉冲放大电路、脉冲甄别电路、脉冲整形电路、计数门控制电路和光子计数电路构成。脉冲放大、甄别和整形…… 查看详细 >
技术简介： 众所周知，80%LED产品损坏的主要原因在于电源，主要受到电解电容寿命的影响，只能说是主要的，并不能说是唯一的，因为电源的损坏并不一定是电解电容的损坏，也有可能是电阻、IC、保险丝等其他电…… 查看详细 >
技术简介： 自相似飞秒脉冲掺铒光纤激光器，由泵浦激光源、波分复用耦合器、掺铒光纤、正GVD的色散渐减光纤、输出耦合器、偏振旋转锁模装置、脉冲啁啾补偿装置以及普通光纤共同连接构成，其中，偏振旋转锁…… 查看详细 >
技术简介： 《改进型密码卡》专利技术功能概述专利号：ZL201020245210.4本专利技术的基本功能有两个：第一：用于远程非当面条件下及时书面签名。例如：签订书面合同、或完成交易、或书面签署其它文件等。功…… 查看详细 >
技术简介： 我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”，于1995年通过省级鉴定，达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上，具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种基于III-V族化合物或者II-VI族化合物的高发光效率的ppn型发光晶体管，包括衬底、缓冲层、n型布拉格反射层、n型电子发射层、发射电极、多量子阱有源发光层、窄带隙p-型基区层，与p…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种多通道电子并行扫描实时光声层析成像方法，包括如下步骤：脉冲激光入射到生物组织中产生光声信号；利用高密度阵列超声换能器并行接收光声信号，利用多通道电子并行扫描电路同步采…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种功率型发光二极管器件的制造方法，包括：在半导体基板或金属基板或陶瓷基板上利用半导体MOCVD技术或外延扩散技术或离子注入技术制备光敏电阻，或者直接将成品光敏电阻焊接在基板…… 查看详细 >
技术简介： 自相似飞秒脉冲光纤激光器，由泵浦激光源、波分复用耦合器、掺镱光纤、输出耦合器、偏振旋转锁模装置、脉冲啁啾补偿装置以及普通光纤共同连接构成，其中，偏振旋转锁模装置由偏振控制器、隔离器…… 查看详细 >