技术简介： 本发明公开了一种超强耐腐蚀性钕铁硼磁体的制备方法。其步骤为：1）母合金采用铸锭工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片铸造工艺制成钕铁硼速凝薄片；2）将母合金氢爆或机械破碎，然后通过气流…… 查看详细 >
技术简介： 本发明具体提供了一种以二氧化硅覆盖的硅片为衬底，以二氧化钛半导体为基体材料，以钯为催化层的高性能氢气探测器。首先利用射频磁控溅射方法在二氧化硅覆盖的硅衬底上生长二氧化钛薄膜；然后通…… 查看详细 >
技术简介： 项目简介：电解水（自来水）臭氧发生器本发明公开了一种臭氧生成电极及其阳极的生产工艺和臭氧产生器，一种臭氧生成电极，包括阴极和阳极，阳极的表面具有触媒，触媒为掺杂了Sb、Ni的SnO2复合膜…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明的一种金刚石纳米坑阵列及其制备方法属于金刚石纳米结构的技术领域。金刚石纳米坑阵列，是在(100)面金刚石单晶表面刻蚀成平均密度为0.5×109～1.5×109cm-2的纳米坑，纳米坑的纵截面…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明所涉及一种利用白炭黑生产废水制备硫酸钙晶须的方法，具体步骤为：以稻壳灰为原料，氢氧化钠溶液溶硅活化制备水玻璃和活性炭，水玻璃经硫酸沉淀制备白炭黑，按比例在含有氯化钠的硫…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种环境污染物降解用形貌可控的赤铁矿制备方法，包括以下步骤1)往Fe3+浓度为0.1～1mol/L的铁盐溶液中逐滴加入1～6mol/L的碱液，碱液滴至溶液呈中性；2)往所得产物中加入还原…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用于单晶生长的石英坩埚，包括内层和外层，其中，所述内层由0.5mm～2mm的二氧化硅颗粒和100nm以下的纳米二氧化硅制备而得；所述的外层由0.5mm～2mm的二氧化硅颗粒、100nm以下的…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种碱土金属离子调控三氧化二铁形貌的方法，其特征在于，所述的碱金属离子为锶离子或钙离子，步骤为：将三价铁盐和水溶性碱土金属盐溶于水中，搅拌得到均匀透明溶液，然后加入…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种钠二次电池高电压正极材料亚锰酸钠Na2MnO3的固相制备方法。其特征在于所制备的方法包括以下步骤将一定化学计量比的锰源化合物与钠源化合物，研磨混合均匀；所得的混合物…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种纺锤状金红石TiO2的制备方法及所得产品，包括以下步骤：将铜粉和钛粉混合均匀，进行机械合金化处理，得到Cu-Ti合金粉末；将制得的Cu-Ti合金粉末在浓硝酸中进行去合金化处…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及六方管状氧化铟及其制备方法，属于无机氧化物半导体材料制备技术领域。本发明以铟(III)-对苯二甲酸配合物为前驱体制备氧化铟并对其形貌尺寸进行控制。具体步骤如下：首先将硝酸…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种锌铁氧体的制备方法，其特征是以电炉炼钢粉尘为原料，向其中加入HCl溶液，在50～70℃温度下搅拌浸出，过滤后，按H2O2与Fe2+摩尔比为1～31向滤液中加入H2O2，将氟化盐按溶液中物…… 查看详细 >