技术简介： 本发明涉及一种柔性还原石墨烯(RGO)/碲纳米线(TeNWs)复合热电薄膜的制备方法。其特点包括以下步骤:以氧化石墨烯(GO)粉末与聚苯乙烯磺酸钠(NaPSS)为原料,通过水热法还原制备可在水中分散的RGO；…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种柔性N型碲化银纳米线热电薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤将碲化银纳米线与聚乙烯吡咯烷酮混合，超声分散在溶剂中得到碲化银纳米线分散液；在真空抽滤的条件下，将碲化银纳…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出了一种柔性硅基纳米薄膜热电器件，包括柔性玻璃基底，在所述柔性玻璃基底上设置有硅基纳米薄膜热电臂、石墨烯电极、石墨烯涂层，所述硅基纳米薄膜热电臂采用物理气相沉积技术沉积在所…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高显色性白光LED器件，包括封装体、以及设置在散热基板上的红光、蓝光、绿光LED芯片，所述的LED芯片设置在封装体中，其特征在于：所述封装体的内壁表面为设有荧光粉层的锥形反…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于3D打印技术的白光LED荧光薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）配制荧光粉浆料；（2）导入3D打印机，由计算机控制在LED芯片或其它透明基片上进行荧光薄膜的打印；（3）打印的过程中，选…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多芯片并串联UVLED阵列式支架，其特征在于，该支架呈叠层式结构，包括顺序叠接的散热层、第一绝缘层、线路层、第二绝缘层和单面镜面发射层，单面镜面发射层上设有均匀分布的反…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构及其封装方法，封装结构包括硅载体、LED芯片和散热基板，其特征在于：所述的硅载体设有导电通道和导热通道，导电通道与安置于硅载体上…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种LED产品及其制造方法，该产品为可见光LED或白光LED，它包括芯片、高导热的金属基座、连接支架、透光面罩，并且在所述的透光面罩的内面附着有荧光薄膜。所述荧光薄膜是通过溅射…… 查看详细 >
技术简介： 本发明一种用于薄膜太阳能电池的光子晶体陷光结构，其特征是：主要由二维光子晶体陷光层以及一维光子晶体反射结构组成；其中：所述二维光子晶体陷光层由分别设置在薄膜太阳能电池吸收层上、下方…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件，包括衬底层、有源层以及处于衬底层和有源层之间的绝缘介质埋层，在绝缘介质埋层与有源层接触的表面的靠边区域设置了一个高浓度固定电荷区，…… 查看详细 >