技术简介： 摘要：本发明公开了一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，包括用于放置硅太阳电池的温度保持恒定的检测台，还包括一个LED光源系统，包括用于发出光线的LED阵列；一个光学汇聚系统，设…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于纳米线技术的新型片上集成光耦，可以实现光耦在片上系统的集成。本发明主要结构分为发光部分、光波导部分和光敏部分，其特点是发光部分和光敏部分采用纳米线结构的LED…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件，可用于提高片上IC的ESD保护可靠性。主要由P衬底、P外延、P阱、N阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、…… 查看详细 >
一种PMOS触发LDMOS-SCR结构的高维持电压ESD保护器件
技术简介： 摘要：一种PMOS触发LDMOS‑SCR结构的高维持电压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种太阳能硅片水中分片装置，包括正面喷射部分，左侧喷射部分和右侧喷射部分,正面喷射进水管，左侧喷射进水管，右侧喷射进水管。所述正面喷射部分的一端与分水管相连,正面喷射板上开有微…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种柔性薄膜温差电池及其制作方法。所述制作方法首先是将第一、第二柔性绝缘基片进行清洗，再在第一、第二柔性绝缘基片上分别镀制上P型热电薄膜和N型热电薄膜，并在所述的P型…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：Ge‑Pb‑Te‑Se复合热电材料及其制备方法。本发明适用于新型能源材料技术领域，提供了一种复合热电材料，所述热电材料的化学式为Ge1‑xPbxTe1‑ySey，其中x为Pb取代Ge的量，x取值范围为0.…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供一种复合热电材料，所述复合热电材料的化学式为(GeTe)1-x(Ag8GeTe6)x，其中x的取值范围为0.02≦x≦0.20。本发明还提供一种所述复合热电材料的制备方法。本发明提供的复合热电材…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明适用于半导体器件领域，提供了GaN‑MoS2分波段探测器，包括GaN衬底；附在所述衬底一面上的GaN材料层；附在所述衬底的与所述GaN材料层相对的另一面上的MoS2材料层；置于所述GaN材料…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法，其中，所述方法包括步骤A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上，通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射，生成氧化亚铜薄膜；B、将所述氧化…… 查看详细 >