技术简介： 摘要：本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置。本发明电磁耦合装置包括：反应釜、电源；反应釜包括筒状的衔铁，衔铁的上口、下口分别由顶盖、底盖封…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置。本实用新型电磁耦合装置包括反应釜、电源；反应釜包括筒状的衔铁，衔铁的上口、下口分别由顶盖、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种高品质因数的三维电感器结构及其制作工艺。该三维电感器由多个元件单元构成，电感元件的输入输出端口位于基底顶部的金属层；元件单元包括位于基底顶部的金属层、两个圆环状…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种高品质因数的差分电感器结构及其制作工艺。该差分电感器位于圆环硅通孔阵列中，将圆环中的硅通孔分为左侧和右侧，且从上到下为第一、二、三、四、五、六硅通孔。将各硅通孔…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种应用分形理论的接地屏蔽结构。现有的片上螺旋电感、变压器由于产生交变的电磁场，会在衬底引起感应电流，产生能量损耗，降低了电感值和Q值。本发明的屏蔽结构位于线圈绕成…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种应用分形理论的PFS（PatternedFloatShield）结构。现有的片上螺旋电感、变压器由于产生交变的电磁场，会在衬底引起感应电流，产生能量损耗，降低了电感值和Q值。本发明的PF…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种逆导型SOILIGBT器件单元。常规的SOILIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种用于横向高压器件和智能功率集成电路的厚膜SOI材料。本发明依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、P型硅隐埋层和N型顶层硅膜。半导体衬底和N型顶层硅膜中的杂质为均匀分布；半…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种肖特基结隧穿场效应晶体管，包括第一栅极、源区、漏区、沟道区、重掺杂pocket区、第一栅介质层、第二栅极和第二栅介质层；本发明在漏区利用金属或金属硅化物代替重掺杂的…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了单光子雪崩光电二极管的制作方法。现有单光子雪崩二极管的保护环能够承受的最大偏置电压过低。本发明单光子雪崩光电二极管的制作方法硅基上均匀掺杂p‑衬底，p‑衬底的中心掺…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于深度学习的动力电池配组方法。现有配组方法劳动强度大，易受检测人员主观因素的影响，容易造成误测量和误匹配的现象。本发明方法首先获取动力电池充放电回路中所有电池…… 查看详细 >