技术简介： 本发明公开了一种III族氮化物外延晶体及其生长方法，自下而上依次包含衬底，第一III族氮化物外延层，石墨烯，图形化掩膜层，第二III族氮化物外延层。本发明的一种III族氮化物外延晶体具有低应力…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种利用相分离技术制备纳米图案化蓝宝石衬底的方法。具体步骤包括：a)将一定质量比的聚苯乙烯和聚乙二醇溶解于甲苯中，得到聚苯乙烯/聚乙二醇/甲苯的共混溶液；b)将共混溶液旋涂于…… 查看详细 >
技术简介： 种硅基金属微腔电致发光器件，自上至下为半透明金属反射镜，有源层，ITO电极，2-8个周期底部DBR、每周期厚度为共振光波长的二分之一，金属薄膜，石英基底；以SiC材料作为有源层，厚度为共振波长…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种集成传感单元的LED器件，在芯片上包含LED发光区域，以及传感单元；该传感单元为发光区域以外独立PN结的二极管；通过检测传感单元一定正向电流下的电压大小来监测该LED器件的结…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种紫外半导体发光器件，其包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极，所述p型层上还依次设有石墨烯-Ag纳米复合层和导电反射层，所述石墨烯-Ag纳米…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种紫外半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极，所述p型层上还依次设有石墨烯‑Ag纳米复合层和导电反…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种极化敏感的高效超导纳米线单光子探测器，包括硅基底、金膜反射层、二氧化硅介质腔、NbN纳米线和耦合反对称分裂环谐振器，其中由下至上依次为所述硅基底、金膜反射层、二氧化硅…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底；介质半反镜，结合于所述衬底表面；下光学腔体，结合于所述介质半反镜表面；介质包裹层，结合于所述下光学腔体表面…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高偏振消光比且高效率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底；介质半反镜，结合于所述衬底表面；下光学腔体，结合于所述介质半反镜表面；NbN纳米线，呈周期性蜿蜒结构结合于所述…… 查看详细 >
技术简介： 一种荧光玻璃光转换材料的制备方法，包括步骤：(1)将质量比为100:1～100:150的玻璃B与荧光体C混合物装进氧化铝或Pt坩埚；将坩埚放进加热装置，并加热至温度T1，混合熔体在T1保温1～5小时；(2)将…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双面结高温超导BSCCO太赫兹源的制备方法，取BSCCO单晶分别热蒸发上下电极，再通过一次光刻以及离子束刻蚀，即可制作出厚度可达数微米的样品。该制备方法简单、可操作，可缩短样…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种制备柔性超导薄膜的方法，包括如下步骤：清洗基片，去除基片表面的有机污染物；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜并进行固化；在涂覆聚酰亚胺膜的基片上直流溅射氮化铌超导薄膜；去除…… 查看详细 >