技术简介： 本实用新型公开了一种便携式连续可调太赫兹发生器，包括太赫兹波导、容器、容器盖子、固定件、半球透镜、加热电阻、低温温度计、BSCCO高温超导太赫兹源和电极板；所述的容器盖子将固定件封装在…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种便携式大功率连续可调太赫兹发生器，由配合使用的制冷装置和太赫兹发生端组成；所述的太赫兹发生端包括设在壳体内的安装件、固定件和支撑件；所述的安装件为L型板，L型板的…… 查看详细 >
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用
技术简介： 一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成；压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT)；Ni‑…… 查看详细 >
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料及电场调控自旋翻转的应用
技术简介： 一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料；压电材料为PMN-PT单晶；Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni-Mn-Sn，二种材料均是片状材料贴合…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种铁基单晶超导体微桥的制备方法，在平整的铁基超导单晶表面直接光刻图形，通过氩离子束刻蚀控制样品厚度，运用翻面技术，经过解理、热蒸发金电极、光刻微桥图形和离子束刻蚀，就…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以12化学计量比形成的化合物，它是…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种Bi2Sr2CaCu2O8单个约瑟夫森表面结的制备方法，将BSCCO单晶置于热蒸发的真空环境中进行解理，解理后迅速热蒸发金电极，直接光刻图形，通过氩离子束刻蚀的方法刻蚀掉图形区域之外…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种纳米薄膜忆阻器，包括衬底，所述的衬底之上依次为下电极、记忆存储层、上电极；记忆存储层从下至上依次为氧化铝薄膜、氧化铪/氧化锌或者氧化铪/氧化铝耦合双层薄膜；本发明还公…… 查看详细 >
技术简介： 一种液相制备超薄二维电学功能性薄膜的方法，将有机聚合物分子材料或有机无机杂化钙钛矿材料溶解到有机主溶剂与微量反溶剂中，在30～80℃的条件下磁力搅拌1～4h，使其完全溶解混合，再冷却至室…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及P-N结柔性太阳电池的制备方法，包括步骤：a．将CuCl2.2H2O,InCl3.4H2O,CH4N2S硫脲，放入酒精中，转移至高压釜中，反应温度为120-180℃，反应时间为6-12h，将产物CuInS2洗涤烘干；其中…… 查看详细 >