技术简介： 本发明公开了一种背接触钙钛矿太阳电池，包括从下至上结构1)导电型衬底；2)均匀电子传输层；3)介电层；4)金属层；5)钙钛矿层且具有若干孔道穿过介电层和金属层接触到电子传输层；6)钙钛矿层的保…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于二维有机分子半导体的快速铁电晶体管存储器，以重参杂的p型硅为衬底，生长50‑250nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上通过热蒸镀的方法制备一层20‑50nm的金作为栅极，然后在栅极上旋涂一…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种锗基三栅器件及其制造方法，该锗基三栅器件主要包括四个功能层：绝缘层上的锗（GOI）基底、氧化锗过渡层、栅极介质层、栅电极层。其中经过臭氧后氧化工艺实现的高质量超薄氧化锗…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种高效光电性能铜基硫硒化物半导体薄膜，为多元铜基硫硒化物材料，化学通式为Cux1M1x2M2x3(SSe)x4，M1和M2为不同的金属元素，且分别为Zn、Sn、Ge、Si、In、Ga、Al中的一种；多元铜…… 查看详细 >
技术简介： 光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种复合材料热压成形模具复合材料热压成形模具主要包括上、下模座及中间成形芯模，芯模包括上芯模和下芯模，所述上模座的底部设有贯穿上模座的第一U形槽，所述上模座可拆式固…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种采用平板光栅组合的高效非接触式热整流器，本发明属于辐射换热技术领域。所述发明结构包括一平板和一光栅，平板和光栅平行间隔，间隔为真空或超低压气体。所述光栅包括一…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种复合型场发射阴极发射源及其制备方法，将材料低功函数的特性优势和微纳尖端结构大的场增强因子优势相结合，提出了在金属微纳尖锥结构和碳纳米管或碳纳米纤维结构表面，包覆沉积…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe3N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种生物模板排列纳米线的方法，首先在洗净的基底片表面修饰一层聚乙二醇-异丁烯酸(PEGMA)膜；其次在PEGMA膜上覆盖具有微图案的透紫外掩膜板，用紫外光照射获得化学微图案膜；然后在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种悬空LED光波导光电探测器单片集成器件及其制备方法，该器件利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED光波导探测器单片集成器件，进一步采用氮…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种芯片叠层结构参数的测试方法。它利用电容—电压测试仪测得芯片叠层结构的高频电容—电压曲线和低频电容—电压曲线，根据低频饱和值和高频饱和值分别测量该结构的绝缘层厚度与半…… 查看详细 >