技术简介： 依托单位为厦门大学研制XMU-LV650C增减材复合加工机床。主要完成具有激光打印、五轴加工一体功能的XMU-LV650C增减材复合加工机床整机制造、装配调试、功能试运行及典型材料工艺试验。机床整体采…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种一维硅纳米线阵列的制备方法，采用“自上而下”金属辅助化学刻蚀法，直接将切洗后的硅片放入稳定的金属盐的氢氟酸水溶液刻蚀液中，在超重力体系中，通过调节离心机的转速、温度、时间…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种太阳能电池，所述太阳能电池由下至上依次包括硅片层、氧化石墨烯层和石墨烯层。本发明提供的太阳能电池大大提高了硅/石墨烯太阳能电池的效率，且成本低廉。 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法，该电池由基底、金属正极、光吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层和栅状金属负极顺次连接构成，光吸收层由…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种双极性氧化亚锡反相器的制备方法，包括以下步骤：选择衬底，并进行栅介质层及输入端电极的制备，或者，选择衬底，在衬底上制备输出端电极、电源供应端电极及接地电极；采…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法，其中氧化物薄膜晶体管包括：衬底、栅介质层、氧化物沟道层、源电极、漏电极和覆盖层；栅介质层位于衬底的上方；氧化…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于晶体管结构的存储器单元，其包括介质层、源极、漏极和半导体层，所述介质层包括相对的第一表面和第二表面，所述半导体层设于所述介质层的第二表面，所述源极和漏极相对…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于超薄金属膜的透明电极，所述透明电极自下而上依次包括透明基底、金属层和金属氧化物层，所述金属层的厚度为3～12nm。本发明通过单分子自组装层修饰基底，在基底上直…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种自支撑压电/铁电薄膜的制备方法，该方法首先采用现有技术制备保留阻挡层的阳极氧化铝薄膜；然后，在所述的阳极氧化铝薄膜的阻挡层表面沉积底电极，接着在所述的底电极表…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器包括绝缘衬底，位于绝缘衬底上表面的第一电极，位于第一电极上表面的中间层，以及位于中间层上表面的第二电极；中间层…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种电阻型随机存储器的存储单元，包括从下至上依次设置的衬底、第一电极、中间层及第二电极，所述中间层由氮掺杂多孔碳薄膜形成。本发明还公开了一种电阻型随机存储器的存储…… 查看详细 >
技术简介： 通过合成兼有聚合能力与络合能力的多功能配体，用Suzuki偶联或RAFT可控聚合方法，成功地将发光性能优越的过渡金属或稀土络合物引入到聚芴类（PF）、聚（苯撑乙烯）类（PPV）、聚（苯撑乙炔）类…… 查看详细 >