技术简介： 本实用新型提供一种紧固治具，其包括：底座，其两侧分别连接有一个支撑件；连接在两个所述支撑件的上端之间的压杆座，所述压杆座与所述底座平行设置，所述压杆座上开有多个上下贯穿的滑槽，多个…… 查看详细 >
技术简介： 2-2型压电复合材料及其制备方法采用离心机使聚合物均匀浇注于所述压电陶瓷片/单晶铁电片的一面，通过离心机能够控制聚合物的厚度。再将压电复合材料阵元上多余的聚合物和压电陶瓷/单晶铁电磨去…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种LED芯片，该LED芯片衬底的上下表面各有一个发光单元。本实用新型的LED芯片光效高，在相同面积的情况下比传统芯片更亮，寿命更长，可靠性好，并且工艺简单，成本低，具有较…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种LED芯片制作方法及LED芯片，其中该LED芯片制作方法在LED芯片制作过程中，在LED芯片衬底的上下表面各制作一个发光单元。该LED芯片衬底的上下表面各有一个发光单元。本发明的LED…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种薄膜型太阳能电池表面自对准电极的制造方法，在衬底上依次制作形成金属背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻层及导电窗口层，并在相应位置开设沟槽，可以得到串联设置的太阳能电池组…… 查看详细 >
无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其硫化锌缓冲层薄膜的制备方法
技术简介： 一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，包括如下步骤：步骤一、在衬底上依次形成背电极和铜铟镓硒光吸收层，形成样片；步骤二、在所述样片表面溅镀氧化锌薄膜；步骤三、将所述样片放入…… 查看详细 >
技术简介： 一种铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，包括如下步骤：在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层；从玻璃衬底远离该金属背电极层的一侧发射穿透玻璃衬底的第一激光束，以形成穿透金属背电极层的第一刻槽；在…… 查看详细 >
技术简介： 一种薄膜太阳能电池，其包括基底、形成于该基底上用于实现光电转换的薄膜层及用于容置冷却介质的收容部，该收容部至少部分由该基底构成。该薄膜太阳能电池在实现太阳能发电的同时，还能采用太阳…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜电池，包括依次叠合的玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层，所述玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种具有硅通孔结构的半导体器件，包括：硅衬底，开设有自硅衬底上表面穿入内部的硅通孔；绝缘层，覆盖于所述硅衬底上表面、硅通孔的侧壁及硅通孔的底面；所述硅通孔的顶端与硅衬…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供的半导体功率器件的散热封装结构，具有盛装冷却液的散热壳体，散热壳体的盖板的内侧设置散热组件进而形成流体通道，同时，盖板的另一侧成为半导体功率器件的基板，即，本发明中散热封…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种植入式芯片的封装结构及其制备方法。所述植入式芯片的封装结构，包括基底、以及贯穿所述基底的多个通孔，所述基底表面、所述通孔壁面均设置有金刚石层，所述金刚石层包覆的所述…… 查看详细 >