技术简介： 本发明公开的一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：步骤1：根据理论分析预测图形化衬底的孔径尺寸和金字塔生长参数，间距和金字塔形貌之间的…… 查看详细 >
一种无荧光粉的白光金字塔阵列氮化镓基半导体发光二极管及其制备方法
技术简介： 本发明公开的一种无荧光粉的白光金字塔阵列氮化镓基半导体发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，该方法主要包括激光打孔尺寸的选择，金字塔的生长，器件的制作三部分。本发明提出了一种…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二级管及其制作方法，属于半导体技术领域。金字塔结构是在激光打孔得到的蓝宝石衬底上直接生长的，不仅操作简便而且形成3D的孔结构可用于减小位错…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种垂直结构LED芯片制备方法，包括以下步骤：1)在异质衬底上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层；2)在LED外延层的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽，形成柱状包围氮…… 查看详细 >
技术简介： 一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，在基材表面制备一层金属材料，在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列，然后在粒子阵列上沉积硅薄膜，在硅薄膜表面制备聚…… 查看详细 >
技术简介： 沉积CsPbBr3纳米片薄膜光电探测器的制备方法，将CsPbBr3纳米片十八烯溶液离心清洗后，分散到有机溶剂中；将多片图形化金叉指电极排列放在容器内，加入CsPbBr3纳米片有机溶剂分散液；容器敞口放…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于ZnO半导体的数字化X射线影像探测器及其制备方法，包括基于ZnO半导体的光电转换器件、控制器、多路放大器、多路选择器、模数转换器及数据输出电路，基于ZnO半导体的光电转换…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于太阳电池领域，涉及一种柔性染料敏化太阳电池纳晶薄膜的制造方法，以多孔型纳米结构TiO2粉末为原料，采用真空冷喷涂方法在导电基底上沉积形成多孔TiO2薄膜。其特征在于多孔TiO2涂层通…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种染料敏化纳米晶太阳电池光阳极薄膜的制造方法，以纳米结构复合型TiO2粉末为原料，采用真空冷喷涂法在导电玻璃上沉积薄膜，经后处理形成多孔TiO2薄膜。该方法制造的TiO2薄膜具有…… 查看详细 >
技术简介： 一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及制备方法，包括从下向上依次设置的低铁压花钢玻璃、第一封装胶膜、整个电池片、第二封装胶膜和背板，所述的电池片周围设置一圈导电保护环，其中，所述整个电池…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于高阻ZnO薄膜的光电导型X射线探测器及其制备方法，包括壳体、两条引线、以及设于壳体内且自上到下依次设置的电极层、ZnO膜层及衬底基片，所述电极层由若干等间距分布的Al膜…… 查看详细 >