技术简介： 本发明公开一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法，包括包含金刚石衬底；金刚石衬底的一面设有金刚石外延层，另一面设有欧姆接触电极；金刚石外延层的表面形成有凸梁与沟道相间的微观…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种超宽带减反膜及其制备方法，包括衬底；衬底表面形成有微孔阵列；微孔阵列上制备有一层ITO纳米线薄膜。本发明利用激光微加工技术在衬底表面制备一定间距阵列的微孔结构，再在其上…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法，属于平板显示器制造技术领域。复合高k绝缘层薄膜晶体管的结构包括沉积在基板上的栅电极，在栅电极上连续沉积三层复合绝缘层薄膜，然…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管及其制备方法；该场效应晶体管，包含金刚石衬底、背栅极、源极、栅引出电极、漏极和单晶金刚石外延薄膜；金刚石衬底上设有背栅极，背栅极上设…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种金刚石基常关型场效应晶体管，包括金刚石衬底，上设置有单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜的表面设置有源区以及包围有源区的器件隔离区，有源区为二维空穴气，有源区的上…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法，首先通过在GaAs半导体表面做接触电极，然后再在石英衬底上依次生成Cu层和Au层，将石英衬底上的Au层与GaAs上接触电极的接触层通过退火…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种STT‑MRAM存储单元，包括晶体管和MTJ单元；晶体管建立在基底上，晶体管的漏极与MTJ单元通过金属线达到漏接触；MTJ单元包括内电极和包裹在内电极外周的种子层、铁磁性钉扎层、非磁…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种GaN 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，包括上桥臂器件、下桥臂器件和母线电容，上桥臂器件、下桥臂器件是LGA封装的GaN器件，母线电容是贴片封装。两个GaN器件并排放置，…… 查看详细 >
技术简介： 一种太阳能低倍聚光光伏电池室内测试装置及测试方法，太阳模拟器发射的模拟太阳光照射在低倍聚光光伏电池平台上，太阳模拟器、低倍聚光光伏电池平台均与测控装置相连；测试时，由测控箱打开散热…… 查看详细 >
技术简介： 基于金属球压接互连技术的电力电子集成模块的制备方法，首先将MOSFET管芯焊接在钼片上；在Al2O3基板形成需要的电路图形，然后把钼片焊接到Al2O3基板上，将MOSFET管芯的栅极引出；铜箔电极焊接在…… 查看详细 >