技术简介： 本[发明专利]所述AAO基光子晶体太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法，包括以下步骤：1)用砂纸对铝合金基材打磨干净，放入碱洗液中碱洗4～6min，碱洗温度：60～70℃，冲洗干净后，放入酸洗液中酸洗…… 查看详细 >
技术简介： 本[发明专利]属于功能陶瓷技术领域，公开了一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法，所述反铁电材料的组成为(Pb0.98La0.02)(Sn1‑xZrx)0.998O3，其中0.4≤x≤0.5，本[发明专利]的反铁电厚膜具有…… 查看详细 >
技术简介： 一种可降解镁合金与可降解聚合物复合材料的制备方法，将可降解金属镁或镁合金作为金属基板，并对可金属基板进行处理，使可降解金属镁或镁合金的金属基板上布满不同形状和孔隙率的三维贯通的孔隙…… 查看详细 >
技术简介： 本[发明专利]公开了一种石墨相氮化碳纳米管的制备方法，其包括如下工艺步骤：1)将前驱体置于陶瓷坩埚中，然后将孔径在10～200nm范围内的氧化铝模板开口向下直接置于前驱体上方，密封坩埚后置于…… 查看详细 >
TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料及其制备方法
技术简介： 摘要：本发明公开一种TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料，其包括MoS2纳米花和TiO2纳米颗粒；所述TiO2纳米颗粒均匀且大量分布在所述MoS2纳米花的表面，在花瓣上具有良好复合；所述TiO2纳…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种镓酸铋铁电薄膜材料及其制备方法，其薄膜材料生长在衬底材料上，镓酸铋分子式为BiGaO3，衬底为Si、LaNiO3/Si、Pt/TiO2/SiO2/Si、Pt/Ti/SiO2/Si其中之一；薄膜材料的空间…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种利用废旧含铅焊锡制备纳米氧化铅粉的方法，该方法将废弃电路板上分离所得的废旧含铅焊锡放入真空炉内，采用真空控氧法，向真空炉内通入空气将废旧焊锡氧化为氧化铅和二氧…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种集光热与光动治疗一体的纳米棒制备方法，包括合成蛋白修饰的金纳米棒和在金纳米棒的基础上复合原卟啉；该治疗型纳米棒为蛋白复合物修饰的金纳米棒，其制备条件温和，均为…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种SAPO-11分子筛的制备方法，该方法将硅源、铝源、磷酸、有机胺模板剂和水形成混合物，其特点是在反应混合物中引入碱性无机化合物作为添加剂，具体合成过程：按摩尔比铝源…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种ZSM-5分子筛的制备方法，该方法用极性分子即十六烷基三甲基溴化铵对层状硅酸盐Na-kenyaite进行插层，得到Na-kenyaite-CTAB插层复合物，再以四烷基氢氧化铵为模板剂合成ZS…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种多级孔纳米丝光沸石分子筛的制备方法，该方法使用新型阳离子表面活性剂作为模板剂通过水热合成直接合成具有多级孔的纳米丝光沸石分子筛，其原料的摩尔组成为硅源∶模板剂…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种不含微孔的SBA-15介孔分子筛的制备方法，通过高温水蒸气后处理的合成方法制备了不含微孔的SBA-15介孔材料。该方法通过高温水蒸气重整处理，SBA-15孔壁的Si-O-Si共价键经…… 查看详细 >