技术简介： 本发明揭示了一种RISCCPU流水线控制方法，系统化地分析流水线每一级停顿因素，该级流水线是否刷新中间寄存器数据的操作决定于两个因素：该条指令是否需要刷新寄存器以及后级执行的指令是否阻止…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种应用于半导体清洗工艺中的聚四氟乙烯清洗花篮改良结构，其包括把手和一个以上花篮本体，所述把手上设置一个以上卡槽，所述花篮本体的一侧部设置可与所述卡槽紧密插接配合的突…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造领域，这种制造方法，包括：使用分子束外延或者金属有机物化学气相沉积法在衬底上沉积至少包括自衬底往上生成且依次连接的隔离层、下接触…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种薄膜太阳能电池衬底的剥离转移技术，其具体步骤如下：首先在硬性衬底上沉积生长出一腐蚀牺牲层；然后在已生长好的腐蚀牺牲层上沉积生长出太阳能电池层；在太阳能电池层上加热黑蜡…… 查看详细 >
技术简介： 目前我们拥有的技术不仅在纳米材料制备上做到尺寸形貌可控、无团聚，而且解决了纳米无机材料与有机纺织品界面结合这一世界性难题。且纳米功能在纺织品上得到最佳发挥，技术具有非常好的稳定性和…… 查看详细 >
技术简介： 一种多壁纳米碳管表面化学镀镍锌的方法，其特征在于：ａ．首先在镀镍锌之前对碳纳米管进行预处理，通过纯化、氧化处理获得较纯净纳米碳管，再通过活化、敏化处理在纳米碳管表面形成催化金属核；…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种荧光量子点/纳米金属颗粒偶联物、其制备方法、含有该偶联物的组合物和试剂盒及其在检测目标物尤其是金属离子中的用途。 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1-mAs1-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1-xAs1-yBiy，其中m=0.48～0，n…… 查看详细 >
技术简介： 一种高效传热纳米铜材及其制备方法。该铜材表面覆设有超薄超润湿的纳米或微纳复合多孔镍膜，该纳米多孔镍膜包含主要由镍纳米花簇构成的多孔结构，该微纳复合多孔镍膜包括主要由镍的微米或纳米三…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种盖帽表面粗化结构的光电器件，包括一个以上光电器件芯片，所述光电器件芯片固定在封装基板上，其中，所述光电器件表面还覆设具有非平整结构的涂覆层。进一步的，所述光电器件芯…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种多孔GaN材料的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤S1、将K2S2O8溶解于去离子水或纯净水中，配制浓度为0.0001mol/L-2mol/L的K2S2O8溶液；步骤S2、在K2S2O8溶液中加入NaOH或KOH，配…… 查看详细 >
技术简介： 该工艺主料为高水材料，其浆液中水体积占85%以上，高水材料用量少，辅助运输工作量小，充填系统和充填工艺简单，成本较混凝土沿空留巷低。另外浆液可以远距离输送，且该材料具有可快速凝固、增…… 查看详细 >