技术简介： 摘要：本发明涉及一种逆导型SOILIGBT器件单元。常规的SOILIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种用于横向高压器件和智能功率集成电路的厚膜SOI材料。本发明依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、P型硅隐埋层和N型顶层硅膜。半导体衬底和N型顶层硅膜中的杂质为均匀分布；半…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种肖特基结隧穿场效应晶体管，包括第一栅极、源区、漏区、沟道区、重掺杂pocket区、第一栅介质层、第二栅极和第二栅介质层；本发明在漏区利用金属或金属硅化物代替重掺杂的…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了单光子雪崩光电二极管的制作方法。现有单光子雪崩二极管的保护环能够承受的最大偏置电压过低。本发明单光子雪崩光电二极管的制作方法硅基上均匀掺杂p‑衬底，p‑衬底的中心掺…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于深度学习的动力电池配组方法。现有配组方法劳动强度大，易受检测人员主观因素的影响，容易造成误测量和误匹配的现象。本发明方法首先获取动力电池充放电回路中所有电池…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型涉及一种RFID易撕蚀刻天线，包括天线、支撑层(3)，所述的天线粘接于支撑层(3)，所述的天线包括天线电路层(1)和薄膜基材(2)，天线电路层(1)与薄膜基材(2)粘接，薄膜基材(2)与所…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种高增益宽角度双频段扫描天线，由上下表面涂有金属贴片的介质基片及微带线交替连接构成，介质基片沿天线的长度方向上两侧开有等间距等半径的金属化通孔；金属化通孔贯穿上…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种基于CC3200的WIFI云端远程遥控电源插座。本实用新型包括电源转换模块、CC3200LaunchPad开发板、继电器驱动电路、单相固态继电器、负载电器插座板。电源转换模块为CC3…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于三相逆变器的多模式电压暂升暂降电源，本发明由升压变压器将普通市电升高至大于暂升需要的最高电压，通过三相不控整流桥整流，为三相逆变器提供直流电源；直流母线分…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种有源功率因数校正电路。本发明包括功率因数校正芯片U1、升压电感T1、开关管Q1、热敏电阻NTC、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于单圈圆形铜线线圈的无线电能传输最优电容选择方法，该方法首先对圆形铜线线圈外加任意电容，通过仿真计算出线圈寄生电容；由寄生电容、外加电容及计算出的线圈自感算…… 查看详细 >