技术简介： 本发明公开了一种双面结高温超导BSCCO太赫兹源的制备方法，取BSCCO单晶分别热蒸发上下电极，再通过一次光刻以及离子束刻蚀，即可制作出厚度可达数微米的样品。该制备方法简单、可操作，可缩短样…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种制备柔性超导薄膜的方法，包括如下步骤：清洗基片，去除基片表面的有机污染物；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜并进行固化；在涂覆聚酰亚胺膜的基片上直流溅射氮化铌超导薄膜；去除…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种便携式连续可调太赫兹发生器，包括太赫兹波导、容器、容器盖子、固定件、半球透镜、加热电阻、低温温度计、BSCCO高温超导太赫兹源和电极板；所述的容器盖子将固定件封装在…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种便携式大功率连续可调太赫兹发生器，由配合使用的制冷装置和太赫兹发生端组成；所述的太赫兹发生端包括设在壳体内的安装件、固定件和支撑件；所述的安装件为L型板，L型板的…… 查看详细 >
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用
技术简介： 一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成；压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT)；Ni‑…… 查看详细 >
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料及电场调控自旋翻转的应用
技术简介： 一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料；压电材料为PMN-PT单晶；Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni-Mn-Sn，二种材料均是片状材料贴合…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种铁基单晶超导体微桥的制备方法，在平整的铁基超导单晶表面直接光刻图形，通过氩离子束刻蚀控制样品厚度，运用翻面技术，经过解理、热蒸发金电极、光刻微桥图形和离子束刻蚀，就…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以12化学计量比形成的化合物，它是…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种Bi2Sr2CaCu2O8单个约瑟夫森表面结的制备方法，将BSCCO单晶置于热蒸发的真空环境中进行解理，解理后迅速热蒸发金电极，直接光刻图形，通过氩离子束刻蚀的方法刻蚀掉图形区域之外…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种纳米薄膜忆阻器，包括衬底，所述的衬底之上依次为下电极、记忆存储层、上电极；记忆存储层从下至上依次为氧化铝薄膜、氧化铪/氧化锌或者氧化铪/氧化铝耦合双层薄膜；本发明还公…… 查看详细 >