技术简介： 本发明公开了一种液态金属/聚合物复合材料及其制备方法和电子器件，该液态金属/聚合物复合材料的制备方法包括以下步骤：(1)取模板材料颗粒，对模板材料颗粒进行成型以形成模板；(2)取模板浸入液…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括：提供基底，在所述基底表面制备第一电极；在所述第一电极表面上制备发光功能层，所述发光功能层至少包括量子点发光层；在所述发光功能层上制…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种摩擦电热电自驱动除尘检测设备及其除尘检测方法。该设备包括除尘设备及热电转换器。除尘设备包括存有介质颗粒的除尘腔体。除尘腔体的相对两端设置有用于向除尘腔体内引入含有废…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种高性能N型PbTe基热电材料及其制备方法。本发明的方法包括先制备PbTe粉末，再通过机械合金化方法将PbTe粉末和InSb粉末纳米化，最后通过放电等离子烧结制备得到热电材料，通过调节…… 查看详细 >
技术简介： 一种微型芯片的批量转移装置以及方法。该微型芯片的批量转移装置包括：装载模具(100)，装载模具(100)包括装载区(101)和位于装载区(101)边缘的非装载区(102)，装载区(101)上设置有阵列式排列的多…… 查看详细 >
技术简介： 一种多超导量子比特中任意两个比特耦合的方法及其系统。应用于具有多超导量子比特阵列以及能够实现自旋波的磁性薄膜材料的场合下，包括：将磁性薄膜材料设置于多超导量子比特阵列下方(S100)；通…… 查看详细 >
技术简介： 一种n-型Mg-Sb基室温热电材料及制备方法，热电材料的化学通式为Mg3δMnxSb2?y?zBiyAz，其中A为氧族元素S、Se或Te，?0.2≤δ≤0.3；x、y、z为原子比率，x＝0.001～0.4；y＝0～1.0；z＝0～0.2。按…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种波导型液晶的激光扫描控制方法，包括以下步骤：(1)在液晶层上方设置电极驱动层，在所述电极驱动层上设置若干独立控制的电极，所述电极一端设置激光角度控制部，所述激光角度控…… 查看详细 >
技术简介： 项目内容离子束辅助沉积（IBAD）把离子注入和常规的物理气相沉积技术结合起来，兼备了二者的优点而消除了二者的缺点，最显著的改善在于提高了膜的结合强度以及在常温下合成。1971年S.Aisenberg…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种透明导电基板，包括透明基板，以及设置在所述透明基板某一表面的透明导电薄膜，所述透明导电薄膜的表面具有多个凹陷微纳结构，所述多个凹陷微纳结构通过湿法刻蚀形成。这些凹陷…… 查看详细 >
技术简介： 本发明实施例公开了一种氮化镓基场效应晶体管及其制备方法，其中氮化镓基场效应晶体管结构包括：衬底、缓冲层、背势垒层、沟道层、势垒层、p型栅层和钝化层；与p型栅层接触的栅极，以及与势垒层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明实施例公开了一种量子棒液晶盒及其光电器件的制备方法，所述方法包括：高浓度、高溶解性量子棒的合成；将得到的量子棒灌入液晶盒；将得到的液晶盒用作光电器件，其中，该光电器件可以为液…… 查看详细 >