技术简介： 一种测试电路,包括:多个被测量晶体管,电性地并联设置;选择部,依次选择各个被测量晶体管;以及输出部,依次输出选择部所依次选择的被测量晶体管的源极电压。 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及用于BB84协议的量子保密通信方法；采用的四态量子编码器或解码器由一个位相-偏振控制器和一个真随机发生器组成；可实现用"两个线偏振态加两个圆偏振态"4态编码的BB84协议的量子保密通…… 查看详细 >
技术简介： 通过提高软磁性衬层的磁各向异性功能,本发明可以提供一种具有高记录密度的垂直记录介质,以及一种磁记录和再现装置,所述垂直记录介质在非磁性基底上至少具有软磁性衬层和垂直磁记录层,其中,当KU…… 查看详细 >
技术简介： 复印机磁辊磁性能测试装置，由测试机床、测试仪器和绘图打印机共同电气连接构成。其中，测试机床由步进电机、旋转和固定轴、带动磁辊支柱、固定磁辊支柱、机床底座、机床支架共同连接构成；测试…… 查看详细 >
技术简介： 一种复印机磁条性能测试装置，由计算机、打印机绘图仪、控制机床、测试和控制卡、探头共同电气连接构成，其中，控制机床由立柱、步进电机、丝杆、机床平台共同连接安装构成，测试和控制卡由磁敏…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种具有选择适合植物生长的光波长的光源、可以测量和控制温度、显示温度的数值的具有大功率发光二极管光源的植物生长控制装置；主要由灯座、电源插座、灯罩、半导体制冷元件、电路板…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是GaN基LED外延片及其制备方法。该GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、低温缓冲层及p型层，其特点是p型层为空穴浓度为2×1018～6×101…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种半导体外延片性能自动测试装置，在于由计算机、控制电路、外延片、测磁探头、测量电路、控温箱、电磁铁、恒流电源、电流倒向电路共同连接构成，本发明还涉及所述装置用于半导体外…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及通信领域中的量子保密通信的专用设备及其应用方法，具体是位相调制偏振态的六态量子编码器和解码器及其用于量子保密通信中的偏振补偿方法；六态量子编码器和解码器由两个位相一偏振控…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种用于红外光探测的雪崩光电二极管(简称APD，下同)的二次封装装置，其底座的底部开有一梯级凹槽，底座的上端开有一贯穿底座左右端面的凹槽，凹槽与梯级凹槽相通；梯级凹槽的底部放…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是一种新型结构的GaN基LED外延片及其制备方法。该新型的GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、限制层、缓冲层及p型层，其特点是p型层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种具有背光的指针式液晶显示装置，由电压输入电路、A/D(模拟/数字)转换器电路、译码和驱动电路、背光板、发光二极管背光电路共同连接构成，其相互连接关系为：电压输入电路的输出线…… 查看详细 >