技术简介： 摘要：本发明公开的基于霍夫变换的直拉单晶硅棒直径的测量方法，首先对晶体生长过程中的图像进行同步采集，然后对图像信息进行预处理，再采用Hough变换对图像中的晶体生长信息进行检测，得到直…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种单晶炉勾形磁场一线测温装置，包括四路温度测量线路，每一路温度测量线路包括上线圈测量线路和下线圈测量线路，上线圈测量线路包括11个测点，下线圈测量线路包括16个…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种力学性能优良的形状记忆合金及其制备方法，包括合金基体以及分散于合金基体中的气泡，该形状记忆合金在微纳米尺度下具有较高的相变转变应力、良好的超弹性性能及较好的变形稳定…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种非线性光学材料弛豫铁电单晶单畴化的方法，包括了退火和极化两个过程，弛豫铁电单晶包括二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系和三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3N…… 查看详细 >
技术简介： 一种棒状二硅酸锂晶体的制备方法，先将碳酸锂和二氧化硅粉体湿法球磨、烘干、过筛；将干燥过筛后的原料混合粉与Na2SO4采用氧化锆球湿法球磨混料，干燥过筛；将晶种生粉松装入氧化铝坩埚中烧结，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法，通过变温逐步极化工艺方法去除掉铁电单晶中的畴壁，使单晶由多畴态往单畴态转变，同时降低由于移动畴壁弛豫而导致的介电弥散，最…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸铅压电单晶及其制备方法，根据化学组成(1‑x)BiFeO3‑xPbTiO3，其中0.3 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法，属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料，再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高速单晶生长装置及方法，主要涉及一种晶体冷却方式和输送反应物进行化学反应的反应筒。该反应筒采用耐高温材料，由进气筒和排气筒组成。进气筒开设有通道，通入参与反应的反应…… 查看详细 >
技术简介： 一种铸锭快速凝固的装置及方法，该装置主要包括底部热交换台，以及依次设置在底部热交换台上的石墨坩埚和石英坩埚；底部热交换台与石墨坩埚之间还设置有具有中空腔体的化学吸热反应换热器，且化…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法，按照以下步骤实施步骤一、将纳米二氧化硅颗粒分散到酒精、异丙醇或者丙酮溶液中，制备得到纳米二氧化硅分散液；步骤二、将分散液滴…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，在异质外延衬底上生长第一铱金属层，以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层；保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶…… 查看详细 >