技术简介： 本发明公开了一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法。其工艺步骤为：①采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜，并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于边界扫描测试的纳米银焊膏封装质量的检测方法，其特征在于，包括如下步骤1）选材；2）涂覆；3）分区；4) 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种无基板封装器件的制作方法，包括如下步骤：1）提供辅助板；2）形成临时粘膜；3）制作金属层；4）图形化金属层并预留芯片贴装空位；5）贴装芯片：在步骤4）预留的芯片贴装空位上…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了.一种埋入芯片式封装基板的制作方法，其特征是，包括如下步骤：1）提供辅助板和选取临时粘膜；2）形成临时粘膜；3）制作金属线路层；4）扣压辅助板；5）制作凹型空腔结构；6）电气…… 查看详细 >
一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法
技术简介： 本发明公开了一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法，(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备p-CAO透明导电薄膜后，再采用超声喷雾热解(USP)工艺制备n-AZO透明导电薄膜；(2)制备p-…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种GaN 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括以下步骤：在衬底正面匀涂电子束光刻胶；用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上；将粘有衬底的石英托粘贴在减薄玻璃片上；进…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种GaAs(111)晶圆的清洗方法。该方法为：将GaAs(111)衬底用有机溶剂处理以除去表面油污及有机物；然后置于双氧水中浸泡，取出，去离子水清洗后再置于盐酸中浸泡，取出，去离子水清…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种通过激光加热制作薄膜图案的方法。在磁控溅射沉积金属或非金属薄膜时，采用外部装置对溅射基座进行冷却，冷却的温度为-196～5℃，同时采用激光对基片表面图案化区域加热。激光…… 查看详细 >
技术简介： 一种离子源和气泵集成装置，包括：框架组，所述框架组包括面板，所述面板包裹形成空腔结构，所述面板设有出风孔；阴极组，所述阴极组设置于所述框架组内；阳极组，所述阳极组设置于所述框架组内…… 查看详细 >