技术简介： 摘要：本发明公开了一种铁电隧道结器件，包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜；其中N型半导体薄膜上连接有第一电极，而在P型半导体薄膜上连接有第二电极，并且第…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法，该方法是以金属铝片作为铁电薄膜的电极，或者以表面覆有一层铝膜的其他材质作为铁电薄膜的电极，对铁电薄膜的电极进行预处理后再在预处理…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种宽温域热电元件，包括以连接层连接的高温段和低温段，连接层的材料为Cu、Nb或Mo中的一种；高温段的材料为CoSb3基化合物或Zn-Sb基化合物；所述低温段的材料为Bi-Te基化合物…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种纸基石墨烯‑p型氧化亚铜复合材料的制备方法，首先以纸作为基底，利用原位还原法制备纸基石墨烯电极，然后通过电位溶出分析法在纸基石墨烯电极的电沉积区域沉积八面体形…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于VOx选通管的相变存储单元，包括下电极层、VOx选通层、相变功能层和上电极层。本发明采用了VOx来实现相变功能层的选通，可以在相变功能层选通的基础上实现数据的存储…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型提供了一种基于Ge2Se2Te5的忆阻器，从上往下依次包括上导电电极、中间功能层和下导电电极，中间功能层采用Ge2Se2Te5材料。本实用新型忆阻器能够在循环的正负电压下进行稳定快速…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种磁隧道结及其制备方法。磁隧道结包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层和第二电极层；第一磁性层和第二磁性层至少其中之一为…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型属于LED封装技术，为一种自由曲面透镜。自由曲面透镜的外表面为自由曲面，作为光学出射面，内表面为向透镜外表面延伸的平底凹槽，作为自由曲面透镜的光学入射面。在完成固定LED…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种远离荧光粉胶涂覆方法及产品，属于LED封装领域。其包括如下步骤，S1先将荧光粉胶涂覆在曲面透镜的内凹面上，接着将所述曲面透镜内凹面朝上静置直到所述荧光粉胶形貌稳定…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明主要属于纳米光电器件制备领域，具体涉及一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法。通过人工生成的纳米孔阵列膜(支撑层)制备获得纳米筛掩模；将制备好的纳米筛掩模转移到光电器件…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种三维量子阱结构光电裸芯片，属于一种量子阱结构光电裸芯片，解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括：衬底层、缓冲层、n型…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化…… 查看详细 >