技术简介： 本发明公开了一种倒装结构的三族氮化物微纳发光器件，包括发光器件本体，所述发光器件本体自上而下依次有第一n型三族氮化物层(1)、图形化掩膜层(2)、第二n型三族氮化物层(3)、三族氮化物有源层(…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型Ga…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；本发明通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除，形成用于设置n电极的n型半导体区域，并在芯片外延层内分别…… 查看详细 >
技术简介： 本申请提供一种紫外LED外延结构，包括衬底；依次生长在所述衬底上的未掺杂缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、超晶格结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；其中，所述超晶格结构包括至少一…… 查看详细 >
技术简介： 本申请提供一种深紫外LED，包括衬底；位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层；位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层；位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构；位于所述…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于音圈电机和花键轴的固晶机焊头机构及固晶机，为解决现有装置组件数量多、运动平稳性和精度较难保证等问题而设计。本发明基于音圈电机和花键轴的固晶机焊头机构包括机架组件…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种太阳能电池片高速视觉定位及矫正系统及其方法，系统包括用于在太阳能电池片自动生产线上自动采集太阳能电池片的图像的图像采集模块、用于分析采集到的太阳能电池片图像并对太阳能…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种Cu2ZnSnS4半导体薄膜的制备方法及其应用，该方法以无水乙醇为溶剂，十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂，草酸为还原剂,氯化铜水合物为铜源，氯化锌为锌源，氯化亚锡水合物为锡源…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种利用磁控溅射法在柔性衬底上制备铜锌锡硫薄膜的方法，它采用在柔性衬底材料上先磁控溅射金属Cu-Zn-Sn前驱体，再进行硫化处理的方法制备铜锌锡硫薄膜；具体步骤如下：选用金属Cu…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，该方法首先采用射频磁控溅射技术在清洗干净的玻璃衬底上制备金属钼背电极，以铜铟合金靶和铜镓合金靶为溅射靶材，以氩气作为溅射气体…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种铝合金背板太阳电池组件，该铝合金背板太阳电池组件按太阳能玻璃、EVA胶膜、太阳电池、聚酯薄膜条、EVA胶膜、铝合金背板顺序以“三明治”方式叠合真空加热层压而成；铝合金背板…… 查看详细 >