在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法
技术简介： 在β－Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga2O3衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源…… 查看详细 >
技术简介： 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，…… 查看详细 >
Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件及其制备方法
技术简介： 本发明公开了一种Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件，其结构自下至上依次包括：蓝宝石衬底、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层、p型GaN层；所述微米柱LED器件刻蚀形…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高出光率、高可靠性的紫外半导体发光二极管，包括一LED芯片，所述LED芯片中在p型层上依次设有石墨烯透明导电层、金属导电层和导电反射层，石墨烯透明导电层特征在于其由多次转…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于AlInGaN三层周期结构的日盲紫外DBR，其结构从下至上依次为：蓝宝石衬底、厚度为d1的Al0.5Ga0.5N模板层、DBR周期层，所述DBR周期层中包含n个周期，每个周期从下至上由厚度为…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端的n型GaN层和p型GaN层离金属电极膜的距离在100nm以内或直接接触金属电极膜，且中间的InxGa1-xN/GaN量子阱有源…… 查看详细 >
技术简介： ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法，包括以下步骤：取一衬底，衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓；在衬底依次外延生长GaN缓冲层，n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和P型GaN,形成初步的GaN基…… 查看详细 >
表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法
技术简介： 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为…… 查看详细 >
技术简介： 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMM…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的AlxGa1‑xN层；并刻蚀形…… 查看详细 >
技术简介： 一种微纳米GaN衬底的方法，通过光助法即紫外光照射的条件下腐蚀溶剂腐蚀GaN衬底，形成具有非极性/半极性面的微纳米结构的GaN模板；微纳米结构为六棱锥或者六棱柱；腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种紫外发光二极管芯片，包括主要由衬底、n‑AlGaN层、多量子阱层、p‑AlGaN层、p‑GaN层组成的外延层，p电极和n电极，其特征在于：所述p‑AlGaN上的p‑GaN层被部分刻蚀形成具有多…… 查看详细 >