技术简介： 摘要：本发明公开了一种铜互连导电阻挡层材料及其制备方法，其采用磁控溅射法，在硅基片上依次集成非晶Nb-Ni导电阻挡层和Cu互联层。所述非晶Nb-Ni导电阻挡层的厚度为2~8000nm，优选为2~5nm，所…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型属于聚光光伏系统领域，具体涉及到一种基于太阳能电池并联连接的聚光光伏模组。包括菲涅尔透镜和多个三结聚光太阳能电池，多个三结聚光太阳能电池并联连接，每个三结聚光太阳能…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开一种DIP芯片引脚整形装置，是采用机械化连续整形作业装置，通过前宽后窄喇叭状梳理槽口对引脚进行共面修整、一对旋转螺旋体在垂直方向自上而下的对引脚进行面内歪斜修整、…… 查看详细 >
一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
技术简介： 摘要：本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子空穴复合抑制结构层的采用耐高温不透明导电基底的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种隧穿磁电阻多层膜材料，涉及应用多层磁性层的静态存储器，是一系列具有高自旋极化率界面的(CoTiSb)x/Fey/(CoTiSb)z超晶格结构的TMR多层膜材料，其中x,y,z为各个成分的原子…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型一种垂直紫外LED芯片，涉及至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件，包括N型外延层、多量子阱、P型外延层、Ni/Ag金属电流扩展层、DBR层、P电极塞、键合金属Cr层…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明一种垂直紫外LED芯片的制备方法，涉及适用于制造至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件的方法，采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替垂直紫外LED芯片的金属反射层，…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种光动力反应装置，包括：箱体，该箱体由不透光材料制成；固定于所述箱体顶部下方的光源模组，该光源模组包括由多个LED灯组成的光源；设置于所述箱体底部上方的用于放…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了多光谱LED光动力反应装置，包括底座、设于该底座上的中心转轴、设于该中心转轴上的支撑面板、设于该支撑面板边缘位置处的若干个LED点阵面光源、驱动装置和载物平台，载物…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于一种核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体，所述核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体是以纳米四角体硒化镉为核，硫化铅包覆生长于纳米四角体硒化镉表面;硒化镉与硫化铅的质量比为1﹕3~…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种量子点发光二极管及制备方法，所述量子点发光二极管包括底电极、无机电子传输层、量子点发光层、无机空穴传输层、顶电极；在所述底电极上设置所述无机电子传输层，在所述无…… 查看详细 >