技术简介： 本发明公开了一种基于压接互连工艺和混合封装技术的电力电子集成模块的制备方法，首次提出铍青铜弹簧压接互连工艺的原理以及采用该工艺设计制造电力电子集成模块的封装步骤。铍青铜压接互连工艺…… 查看详细 >
技术简介： 一种应变垂直MOS器件的制造方法，在衬底上完成图形转移，再形成金属掩膜，通过进行刻蚀形成硅柱，减小硅柱直径，制备硅纳米线，并生长栅氧化层；淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子，形成环状栅极…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种纳米双相复合结构Zr－Si－N扩散阻挡层材料及其制备工艺。本发明的材料是由Zr片以及在Zr片上放置若干片尺寸为10mm×10mm×0.7mm的Si片组成的复合靶，在复合靶上沉积有厚度约为90－…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种金属原子掺杂的大面积规则外延石墨烯的制备方法，应用于微电子技术领域。将金属原子引入到SiC的高温裂解过程中，并辅以Ar气氛的保护，不仅可以制备得到大面积规则的外延石墨烯…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多功能集成传感器芯片的制作方法，采用微机械电子系统技术和集成电路微加工技术在一个5mm×5mm面积的管芯上制作出能分别敏感压力、温度、湿度三个传感器单元；三个单元基于的效…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种利用多层薄膜型电子源的平面气体激发光源。所述平面气体激发光源包括由玻璃材料制成的前基板(1)和后基板(2)；所述前基板(1)或后基板(2)上设置有能产生表面电子发射的电子源；所…… 查看详细 >
技术简介： 一种分体式透射电子显微镜样品杆结构，包括杆身和功能头，杆身的壳体内中心位置设置有插头，功能头内中心位置设置有与插头相适配的插座，插座与杆身的壳体间以及插头与功能头的壳体间填充有真空…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用于高压快速响应测量的阴极射线管以及测量方法，包括壳体以及外部电路，壳体内为真空状态，壳体内的一侧设有电子枪、壳体内的另一侧设有接收导电板，电子枪与接收导电板之间依…… 查看详细 >
技术简介： 一种分体式透射电子显微镜样品杆，包括杆身和功能头，杆身的壳体内中心位置设置有插头，功能头内中心位置设置有与插头相适配的插座，插座与杆身的壳体间以及插头与功能头的壳体间填充有真空密封…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种表面传导电子发射源结构及其制作方法，属于平板显示器制造技术领域。表面传导电子发射源结构包括沉积在基板上的一对对称的器件电极，在器件电极上沉积有电子发射薄膜，电子发射…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置，包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层，其中，背电极层为石墨烯薄膜。通过采用电学性能优异的石墨烯…… 查看详细 >