技术简介： 压电作动器止推力测量装置及测量方法，该系统包括外部框架，设置在外部框架内的作动部件，设置在外部框架内并依次连接在作动部件下端的力敏感部件、位移控制部件、待测压电作动器、作动器连接部…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高量程高过载高温压力传感器，包括一外壳，其特征在于，该外壳带有外螺纹且内部设有空腔，在外壳的一端有出线帽，外壳的另一端依次设有高温转接电路板、过载保护块和弹性元件，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种水中冲击波波形重建方法及系统。本公开提出的方法基于低频等效准则和能量守恒定，能够对存在部分测量信号未失真的冲击波波形进行重建或修复，可根据重建或修复需要选择不同类型…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种小直径球床高温氦气压降测量装置及方法，用于精确测量小直径球床高温氦气的沿程压降；包括氦气瓶、可调减压阀、气体质量流量计、实验段、止回阀；实验段内装小直径球，各连接处…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种集输－立管系统内气液两相流流型在线识别方法，对待识别集输－立管系统的立管顶部压力信号进行预处理；通过统计参数计算和主成分分析，提取出一个包含三个主成分分量的特征参数…… 查看详细 >
技术简介： 一种应变式三维力传感器，包括弹性敏感元件，弹性敏感元件的一端设有受力端，另一端设有固定端，弹性敏感元件的表面贴有电阻应变片，电阻应变片连接成惠斯通测量电桥，惠斯通测量电桥输出和信号…… 查看详细 >
技术简介： 一种应力衰减结构的超高压力传感器，包括金属承压元件，金属承压元件的上部为截面逐渐变大的锥形体，外界压力直接作用在锥形体顶部最小的受压面上；金属承压元件的下部为截面积均匀的柱体，并在…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于超高电阻温度系数非晶态碳膜的温度传感器芯片，包括镀有氮化硅层的硅片基底，硅片基底表面采用离子蒸汽沉积超高TCR非晶碳膜，超高TCR非晶碳膜表面溅射第一金电极，在硅片基底表面制作二…… 查看详细 >
技术简介： 一种浮雕式岛膜应力集中结构微压传感器芯片及制备方法，传感器芯片包括基底中部设有的薄膜，四个浮雕岛沿着薄膜上部边缘分布，并通过四个浮雕根部与基底连接，四个压敏电阻条布置在浮雕根部的上…… 查看详细 >
技术简介： 本发明针对目前点式与分布式测温元件在低温度范围不能使用的缺点，公开了一种使用温度在250～500℃范围的线状测温元件及其制备方法：先制备Ni2O3－Cr2O3－Fe2O3－In2O3为基的热敏半导体陶瓷粉料…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于非晶碳膜的超高线性度温度传感器芯片，包括镀有氮化硅层的硅片基底，硅片基底表面采用ECR溅射装置沉积超高线性度非晶碳膜，超高线性度非晶碳膜表面溅射第一金电极，在硅片基底表面制作…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于微流道的钨铼薄膜温度传感器冷端补偿结构，包括热电偶和冷端温度补偿模块；热电偶包括设有热电偶冷端微流道的基底；冷端微流道采用针翅式微流道结构；冷端温度补偿模块包括…… 查看详细 >