技术简介： 本发明揭示了一种阳极氧化铝模板孔洞形状渐变的调制方法，包括步骤：I、去除经退火处理或未处理的铝箔表面油脂及污物，再经电化学抛光处理后备用；II、采用电化学氧化法或硬质模板机械压坑法在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种垂直喷淋式MOCVD反应器，包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口，用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内，其特点…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种蓝宝石基新型倒装结构，其特征在于：包括n电极导电转移基板、蓝宝石基光电器件基础芯片、引线及绝缘填充材料，其中用于与蓝宝石基光电器件基础芯片的n电极及电源分别相连的电极…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法，利用晶片键合的方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成，充分利用Ge电池，既直接作为四结电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用，该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法。该薄膜由聚3，4-乙撑二氧噻吩和小分子掺杂剂构成；其制备方法为：在经亲水处理后的基片表面上涂覆含氧化剂和碱抑制剂的溶液形成有氧化…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种金属与石墨烯复合催化剂的制备方法，其中复合催化剂为由氧化石墨烯与金属纳米颗粒复合而成，其制法特征为通过对任意粒径、形貌及组分的金属纳米颗粒修饰芳香环，并物理吸附在氧…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种单分散近红外量子点的制备方法，利用二乙基二硫代氨基甲酸盐为单源的反应前驱物，通过其在高沸点且具有不同配位特性的表面活性剂的混合溶液中的热解反应，并且选用硫化银作为制…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝，在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种新型高强压铸铝合金材料及其制备方法，该铝合金材料以铝为基体，并含有硅、铜、锰、钛等元素，各元素的含量(质量比)分别为：Si：10-12％，Mn：0.5-1.0％，Cu：0.5-3.0％，Ti：0…… 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种磁性氧化硅球及其合成方法，该磁性氧化硅球为三层核壳结构，自内而外包括氧化硅球、磁性纳米颗粒、氧化硅壳层；磁性氧化硅球尺寸的调控范围介于50nm～5μm。其合成方法是：将预…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种编码微球的制备方法，其特征在于包括步骤：在衬底上涂覆牺牲层；进而在其表面生长或沉积制备单层或多层复合的微球材料层；对微球材料层进行光阻涂布、光显影、刻蚀、清洗的半导…… 查看详细 >